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J-GLOBAL ID：202002221265315630   整理番号：20A1073855

ポリカーボネートテンプレートにおける電着によるSnナノシートの調製【JST・京大機械翻訳】

Preparation of Sn nanosheets by electrodeposition in polycarbonate template

著者 (2件)： Meng Zhichao (University of Science and Technology of China (USTC),Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences (CAS) School of Materials Science and Engineering,Shenyang,China,110016) ,  Liu Zhi-Quan (USTC Shenzhen Institutes of Advanced Technology, CAS,Institute of Metal Research, CAS School of Materials Science and Engineering,Shenzhen,China,518055)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ICEPT  ページ： 1-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去数十年,ナノ材料合成と特性化の成熟により,ナノ材料は新しい材料,情報,エネルギーおよび他の技術分野において重要な役割を果たしている。本論文では,ポリカーボネート(PC)テンプレート電着により約12μmの直径でSnナノシートとナノスフェアを調製した。調製プロセスは,めっき溶液の処理,Snの電着,PCテンプレートの溶解,および最終的にSnナノシートを得るためのフィルタリングから成った。その形態と組成を,電界放出走査電子顕微鏡によるエネルギー分散X線分光計(EDS)を用いた走査電子顕微鏡(SEM)により特性化した。ナノシート調製のプロセスにおいて,Snの成長形態は銅基板の配向と一定の関係を有することが分かった。Snは,銅配向とPCテンプレートの影響により,積層または交差状クラスタに成長することができる。これらの結果は,ミクロおよびナノスケール相転移への新しい洞察を提供し,調製したSnナノ材料は電子パッケージングのためのはんだ材料として使用できる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  相転移 ,  *電着 ,  *スズ ,  銅 ,  *ポリカーボネート ,  フィルタリング ,  X線スペクトロメータ ,  めっき液 ,  クラスタ ,  ナノ材料 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： 電界放出型走査電子顕微鏡 ,  ナノスケール ,  ナノスフェア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電着 ,  Sn ,  ナノシート ,  調製