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J-GLOBAL ID：202002221483690296   整理番号：20A2227157

RFスパッタリングにより堆積したGdBa_2Cu_3O_7-x膜のピン止め特性に及ぼす厚み効果【JST・京大機械翻訳】

Thickness effect on pinning properties for GdBa₂Cu₃O₇-_x films deposited with RF sputtering

著者 (9件)： Xu Jianming (Shanghai Institute of Space Power-Sources, Shanghai 200245, China) ,  Xie Zhongzhou (Department of Physics, Mathematics, Shanghai Key Laboratory of Materials Protection and Advanced Materials in Electric Power, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, P.R. China) ,  Li Zhen (Department of Physics, Mathematics, Shanghai Key Laboratory of Materials Protection and Advanced Materials in Electric Power, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, P.R. China) ,  Luo Xiaojing (Department of Physics, Mathematics, Shanghai Key Laboratory of Materials Protection and Advanced Materials in Electric Power, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, P.R. China) ,  Zhu Yanyan (Department of Physics, Mathematics, Shanghai Key Laboratory of Materials Protection and Advanced Materials in Electric Power, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, P.R. China) ,  Zhu Yanyan (Shanghai Key Laboratory of High Temperature Superconductors, Shanghai University, Shanghai, P.R. China) ,  Gao Tian (Department of Physics, Mathematics, Shanghai Key Laboratory of Materials Protection and Advanced Materials in Electric Power, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, P.R. China) ,  Gao Tian (Shanghai Key Laboratory of High Temperature Superconductors, Shanghai University, Shanghai, P.R. China) ,  Wang Ying (Department of Physics, Mathematics, Shanghai Key Laboratory of Materials Protection and Advanced Materials in Electric Power, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, P.R. China)
資料名： IOP Conference Series: Materials Science and Engineering  (IOP Conference Series: Materials Science and Engineering)
巻： 892  号： 1  ページ： 012090 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5559A  ISSN： 1757-8981  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RFスパッタリングによって成長させたGBCO膜のJ_CとH,方向および結晶化配向の間の関係を,それぞれ0.3um,0.5umおよび0.9umである異なる厚さで,研究した。相関ピン止め寄与からランダムピン止めをデコンボリューションすることにより,全ての3つの膜はYBCO膜においてγ=5よりも低有効異方性パラメータγ=3を示すことを見出した。最も薄い膜は最も異方性である。異方性スケーリング解析は,角度相関J_c曲線において研究した全角度範囲に対して,厚膜に対するランダムピン止めの増強を明らかにした。Jc-厚さ依存性解析は,磁気デカップリングに対して一定の閾値場H_dとある厚さdがあることを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  角相関 ,  結晶化 ,  薄膜 ,  磁気 ,  デコンボリューション ,  デカップリング ,  RFスパッタリング ,  厚膜 ,  *ピン止め ,  YBCO薄膜
準シソーラス用語： 厚み依存性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (4件)： RFスパッタリング ,  堆積 ,  ピン止め ,  厚み