文献

J-GLOBAL ID：202002221609883044   整理番号：20A1206588

純粋および欠陥のあるアンチモネンナノリボンにおけるスピンカロリitの計算研究【JST・京大機械翻訳】

Computational study of spin caloritronics in a pristine and defective antimonene nanoribbon

著者 (3件)： Hashemi Samaneh (Department of Electrical Engineering, Science and Research Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran) ,  Faez Rahim (School of Electrical Engineering, Sharif University of Technology, Tehran, Iran) ,  Darvish Ghafar (Department of Electrical Engineering, Science and Research Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 120  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,非平衡Green関数(NEGF)と組み合わせた第一原理密度汎関数理論(DFT)を用いて,ジグザグおよびアームチェア型アンチネン(SBNR)における熱誘起スピン電流を調べた。また,ANRに対する透過の開始エネルギーはZNRよりもFermi準位に近いので,ジグザグナノリボン(ZNR)よりもArm椅子ナノリボン(ANR)においてより高いスピン電流を得た。結果は,デバイスがゲート電圧またはバイアス電圧なしで温度差の下で完全なスピンSeebeck効果を有することを示した。ANR配置に対して,スピンアップ正孔とスピンダウン電子間の競合は電荷電流の負の微分挙動をもたらし,これは熱トランジスタの設計に必須である。ZNRとANRの構造と電子特性に及ぼす単一空孔と二重空格子点の効果も調べた。結果は,ZNRの空格子点がスピン電流の減少をもたらし,一方,ANRでは,スピン電流が増加することを示した。ANRの二重空孔は,元のものの約2.5倍までのスピンアップ電流を著しく高めることができる。この結果は,将来の低電力消費技術に使用できるスピンカロリトロニクスデバイスの有望な候補としてArm椅子 Nanoribbを検証した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  電荷 ,  *電流 ,  トランジスタ ,  微分 ,  Fermi準位 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： スピンアップ ,  温度差 ,  *ナノリボン ,  バイアス電圧 ,  スピン電流 ,  ゲート電圧 ,  非平衡Green関数 ,  *アンチモネン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： アンチモネン ,  スピンカロリッツ ,  スピントロニクス ,  負の微分挙動 ,  空格子点

分類 (5件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 欠陥 ,  IT ,  計算 ,  研究