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J-GLOBAL ID：202002221792446411   整理番号：20A2081393

パルスレーザ蒸着によるε-InSe膜の温度依存フォノンモードとバンド間電子遷移発展【JST・京大機械翻訳】

Temperature-dependent phonon mode and interband electronic transition evolutions of ε-InSe films derived by pulsed laser deposition

著者 (9件)： Xie Mingzhang (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Engineering Research Center of Nanophotonics and Advanced Instrument (Ministry of Education), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, Chi...) ,  Li Ming (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Engineering Research Center of Nanophotonics and Advanced Instrument (Ministry of Education), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, Chi...) ,  Li Liumeng (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Engineering Research Center of Nanophotonics and Advanced Instrument (Ministry of Education), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, Chi...) ,  Zhang Jinzhong (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Engineering Research Center of Nanophotonics and Advanced Instrument (Ministry of Education), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, Chi...) ,  Jiang Kai (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Engineering Research Center of Nanophotonics and Advanced Instrument (Ministry of Education), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, Chi...) ,  Shang Liyan (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Engineering Research Center of Nanophotonics and Advanced Instrument (Ministry of Education), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, Chi...) ,  Li Yawei (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Engineering Research Center of Nanophotonics and Advanced Instrument (Ministry of Education), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, Chi...) ,  Hu Zhigao (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Engineering Research Center of Nanophotonics and Advanced Instrument (Ministry of Education), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, Chi...) ,  Chu Junhao (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Engineering Research Center of Nanophotonics and Advanced Instrument (Ministry of Education), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, Chi...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 10  ページ： 102101-102101-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着により作製したSiO_2/Si基板上のInSe膜の温度依存フォノンモードとバンド間電子遷移を報告した。微細構造の結果は,明確な六角形InSeシートを有するε相構造とモノカルコゲン化物相組成を証明した。格子振動に及ぼす温度効果を123Kから423KまでのRamanスペクトルによって発見した。A_2g1(LO)モードの半値における周波数と半値全幅は,温度による強い非線形性を示した。エネルギーバンド構造と電子-フォノン相互作用を,Tauc-Lorentzモデルの助けを借りて温度依存分光偏光解析法によって研究した。1.33,1.61,2.53,3.73,および4.64eV付近の5つの電子遷移が,一般に温度とともに赤方偏移傾向を示すことを見出した。本結果はInSe膜の将来のオプトエレクトロニクス応用に対する貴重な参照を提供できる。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  格子振動 ,  赤方偏移 ,  *電子遷移 ,  電子-フォノン相互作用 ,  *温度依存性 ,  カルコゲン化物 ,  ε相 ,  相組成 ,  オプトエレクトロニクス ,  FWHM ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  分光偏光解析法 ,  *フォノンモード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスレーザ蒸着 ,  InSe ,  温度依存 ,  フォノンモード ,  バンド ,  電子遷移 ,  発展