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J-GLOBAL ID：202002221954368592   整理番号：20A0451724

抵抗スイッチングにおけるしきい値電圧とその前指数因子間の相関【JST・京大機械翻訳】

Correlation between threshold voltage and its pre-exponential factor in resistive switching

著者 (3件)： Srivastava Ankita (Physics Department, Institute of Science, Banaras Hindu University, Varanasi, 221005, India) ,  Pal Shiv Kumar (Physics Department, Institute of Science, Banaras Hindu University, Varanasi, 221005, India) ,  Mehta Neeraj (Physics Department, Institute of Science, Banaras Hindu University, Varanasi, 221005, India)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 241  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗スイッチングの現象は,メモリ技術における有望な応用により,過去10年間に大きな注目を集めている。新しいバルクSe-Te-Sn-Ag四元ガラス上の抵抗スイッチング実験の解析をこのスクリプトで報告した。本研究では,熱的に支配された抵抗スイッチング特性におけるしきい値電圧V_thの前指数因子(V_th)_0が補償効果の特徴として対応する活性化エネルギーE_thに対する指数関数的依存性に従うことを観測した。著者らの結果は,抵抗スイッチング挙動がこれらの2つのパラメータによって影響されることを示した。したがって,(V_th)_0とE_thの間の相関は,抵抗スイッチングの制御において重要な役割を果たす可能性がある。この相関の起源を,障壁クラスタモデルで示唆されるように,電荷キャリアの再結合/生成の遷移確率の観点から説明した。観測は,ガラス状Se-Te-Sn-Ag系のしきい値電圧がAg濃度の増加と共に減少することを示した。Ag原子の結合の性質と組成による化学的不規則性の減少に基づいて,観測された組成依存性を説明するための試みを行った。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *銀 ,  指数関数 ,  再結合 ,  クラスタ模型 ,  活性化エネルギー ,  濃度依存性 ,  カルコゲン化物 ,  遷移確率 ,  ガラス ,  補償効果
準シソーラス用語： 組成依存性 ,  不規則性 ,  電荷キャリア ,  スクリプト ,  *閾値電圧 ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： カルコゲン化物 ,  ガラス ,  抵抗スイッチング ,  補償効果

分類 (3件)： ガラスの性質・分析・試験  (YC02030Z) ,  塩  (CD01050V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 抵抗スイッチング ,  しきい値電圧 ,  相関