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J-GLOBAL ID：202002222017981567   整理番号：20A2239216

高濃度窒素ドープ4H-SiC基板上のエピタキシャル層に通電によって拡張した混合型積層欠陥境界の構造解析

Structural analysis of expanded mixed type stacking faults boundary induced by bipolar current in epitaxial growth layer on highly nitrogen-doped 4H-SiC substrate

著者 (3件)： 寺西秀明 (富士電機) ,  鹿児山陽平 (富士電機) ,  宮里真樹 (富士電機)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.15a-A201-3  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 高濃度窒素ドープ4H-SiC基板上にエピタキシャル成長を行いバイポーラ通電を行うと、ダブルショックレー型の帯状積層欠陥が発生する場合があることを前回報告した[1]。今回、高濃度窒素ドープ4H-SiC基板上にエピタキシャル成長を行った基板に...【本文一部表示】

シソーラス用語： ダイオード ,  電子顕微鏡観察 ,  発光 ,  光ルミネセンス ,  フィルタ ,  構造解析 ,  波長 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  *積層欠陥
準シソーラス用語： HAADF-STEM ,  暗視野 ,  *4H-SiC ,  *高濃度 ,  金属電極 ,  球面収差補正 ,  *エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高濃度 ,  窒素ドープ ,  4H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  通電 ,  拡張 ,  積層欠陥 ,  境界 ,  構造解析