送信/受信モジュールのためのSバンドGaAs多機能チップ【JST・京大機械翻訳】

Chen Kefan; Wang Xiangdong; Cheng Xu; Han Jiangan; Chen Fengjun; Deng Xianjin

文献

J-GLOBAL ID：202002222039641580 整理番号：20A0285388

送信/受信モジュールのためのSバンドGaAs多機能チップ【JST・京大機械翻訳】

An $S$ -Band GaAs Multifunction Chip for Transmit/Receive Modules

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資料名：
巻： 68 号： 1 ページ： 397-403 発行年： 2020年
JST資料番号： C0229A ISSN： 0018-9480 CODEN： IETMAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本論文では,高集積レベル,双方向動作,パッド数の低減,および最適化電力消費を特徴とする高度集積Sバンドプロトタイプ多機能チップ(MFC)を,GaAs0.15μm pHEMT技術により実証した。高集積レベルを追求するために,MFCは4つの増幅器,2つの双方向混合器,およびコンパクトな統合受動フィルタを利用する。電源パッドのために,自己バイアス技術をオンチップ電力結合技術で採用した。電力消費最小化に関して,システム電圧が一定であるとき,現在の再利用技術は,キー仕様の劣化なしで最適化したトランジスタサイズによって選択した。MFCの主な機能は,伝送路と受信経路の両方において,二重変換と利得増幅を1チップに提供することである。送信モードにおいて,MFCは2.6から3.2GHzまで0dBの利得と7dBmのP_1dBを達成した。得られた局所発振器(LO)-無線周波数(RF)アイソレーションは50dBより良く,中間周波数(IF)-RFアイソレーションは85dBである。受信モードでは,2.6から3.2GHzまで<10dBの雑音指数で-5dB利得を達成した。測定したLO-IFアイソレーションは65dB以上であり,RF-IFアイソレーションは50dB以上であった。MFCのV_DDは5Vである。作製したMFCは5mm×5mmを占め,プロセスが耐えられる最大記録面積であった。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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増幅回路 , 周波数変換回路 , 半導体集積回路 , 無線通信一般

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