文献

J-GLOBAL ID：202002222113786597   整理番号：20A2017484

高反干渉Ti_3C_2T_x MXene電界効果トランジスターベースアルカリIndicator【JST・京大機械翻訳】

High Anti-Interference Ti₃C₂T_x MXene Field-Effect-Transistor-Based Alkali Indicator

著者 (10件)： Liu Chengbin (College of Environmental Science and Engineering, Biomedical Multidisciplinary Innovation Research Institute, Shanghai East Hospital, State Key Laboratory of Pollution Control and Resource Reuse, Tongji University, China) ,  Liu Chengbin (Shanghai Institute of Pollution Control and Ecological Security, China) ,  Hao Sibei (College of Environmental Science and Engineering, Biomedical Multidisciplinary Innovation Research Institute, Shanghai East Hospital, State Key Laboratory of Pollution Control and Resource Reuse, Tongji University, China) ,  Hao Sibei (Shanghai Institute of Pollution Control and Ecological Security, China) ,  Chen Xiaoyan (College of Environmental Science and Engineering, Biomedical Multidisciplinary Innovation Research Institute, Shanghai East Hospital, State Key Laboratory of Pollution Control and Resource Reuse, Tongji University, China) ,  Chen Xiaoyan (Shanghai Institute of Pollution Control and Ecological Security, China) ,  Zong Boyang (College of Environmental Science and Engineering, Biomedical Multidisciplinary Innovation Research Institute, Shanghai East Hospital, State Key Laboratory of Pollution Control and Resource Reuse, Tongji University, China) ,  Zong Boyang (Shanghai Institute of Pollution Control and Ecological Security, China) ,  Mao Shun (College of Environmental Science and Engineering, Biomedical Multidisciplinary Innovation Research Institute, Shanghai East Hospital, State Key Laboratory of Pollution Control and Resource Reuse, Tongji University, China) ,  Mao Shun (Shanghai Institute of Pollution Control and Ecological Security, China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 29  ページ： 32970-32978  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新たな2次元(2D)遷移金属炭化物または窒化物のグループであるMXeneは,それらのユニークな構造と性質のために広い興味を引いている。それらの安定性および種々の媒体,特にアルカリ性環境における適応性は,それらの潜在的用途と直接関連しており,まだ調査されていない。ここでは,単一/二重層Ti_3C_2T_xMXeneを用いて電界効果トランジスタ(FET)を作製した。Ti_3C_2T_xFET指示薬は,アルカリに対して高速(~1s),高感度,および選択的応答を示した。さらに,このデバイスは高塩分(2M NaCl)環境でも働き,高イオン強度環境におけるアルカリに対する高い抗干渉能力を示唆した。in situ形態画像進化研究を用いて,応答信号がTi_3C_2T_xナノシートのアルカリ誘起変性から生じることを実証した。Ti_3C_2T_xベースのアルカリFET指示薬とTi_3C_2T_xのアルカリ誘起構造進化に関する系統的評価は,MXene系FETとアルカリ環境におけるMXeneの将来の応用への本質的な洞察を提供する。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *干渉 ,  炭化物 ,  *FET【トランジスタ】 ,  窒化物 ,  指示薬 ,  塩分 ,  適応性 ,  媒質 ,  二次元 ,  イオン強度 ,  高感度 ,  ナノシート
準シソーラス用語： アルカリ性 ,  二重層 ,  *MXene , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Ti_3C_2T_xMXene ,  電界効果トランジスタ ,  アルカリ指示薬 ,  高い反干渉センシング ,  in situ形態学的画像進化

分類 (2件)： 二次電池  (YB04030K) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 干渉 ,  MXene ,  電界効果トランジスター ,  アルカリ