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J-GLOBAL ID：202002222318606894   整理番号：20A1588004

酸素プラズマによる少層MoS2とその電界効果トランジスタへの影響研究【JST・京大機械翻訳】

Effect of oxygen plasma treatment on few-layer MoS2 and its field-effect-transistor

著者 (4件)： Zhang Yadong (河北工業大学 電子信息工程学院 電子材料与器件天津重点実験室, 天津 300401;中国科学院 微電子研究所微電子器件与集成技術重点研究室, 北京 100029) ,  Jia Kunpeng (中国科学院 微電子研究所微電子器件与集成技術重点研究室,北京,100029) ,  Wu Zhenhua (中国科学院 微電子研究所微電子器件与集成技術重点研究室,北京,100029) ,  Tian Hanmin (河北工業大学 電子信息工程学院 電子材料与器件天津重点実験室,天津,300401)
資料名： Dianzi Yuanjian yu Cailiao  (Dianzi Yuanjian yu Cailiao)
巻： 39  号： 5  ページ： 67-72  発行年： 2020年 
JST資料番号： C2506A  ISSN： 1001-2028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： MoS2材料とその電界効果トランジスタを酸素プラズマにより処理し,AFM,Raman分光法,XPS及びI-V試験を用いて,材料及びデバイス特性を調べ,MoS2材料及びデバイス性能に及ぼす酸素プラズマの影響を系統的に調べた。実験結果は,酸素プラズマ処理がMoS2材料とデバイス調製中に導入された有機不純物を効果的に除去し,MoS2の表面粗さを0.27nmに低下させることを示した。同時に、酸素プラズマは表層MoS2をMoO3に酸化し、デバイスの接触領域MoS2と金属間のFermi準位ピン止め効果を低下させ、デバイスのスイッチ比を3.3×106まで高めた。MoS2デバイスのチャネルを処理した時、MoO3を通ってMoS2格子に挿入し、チャネルにp型ドーピングを形成させた。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 不純物 ,  *FET【トランジスタ】 ,  表層 ,  Fermi準位 ,  チャネル ,  Raman分光法
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  デバイス特性 ,  *酸素プラズマ ,  ピン止め効果 ,  p型ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸素プラズマ ,  層 ,  MoS2 ,  電界効果トランジスタ ,  研究