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J-GLOBAL ID:202002222480837534   整理番号:20A1051807

半透明ペロブスカイト太陽電池と四端子タンデム応用のための酸化タングステンに基づく表面処理緩衝層からなる透明電極【JST・京大機械翻訳】

Transparent Electrodes Consisting of a Surface-Treated Buffer Layer Based on Tungsten Oxide for Semitransparent Perovskite Solar Cells and Four-Terminal Tandem Applications
著者 (17件):
資料名:
巻:号:ページ: e2000074  発行年: 2020年 
JST資料番号: W3681A  ISSN: 2366-9608  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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n-i-p構造を有する半透明素子に対して,金属酸化物バッファ材料は,透明導電性酸化物のスパッタリングによる損傷から有機正孔輸送層を保護するために一般的に使用される。ここでは,酸化ニオブによる酸化タングステン表面のわずかな改質により,酸化タングステン系透明電極に対する表面処理アプローチを検討した。この透明電極技術を保護バッファ層に組み込むことにより,充填因子を70.4%から80.3%に著しく回復し,従来の不透明デバイスの充填因子値に近づき,半透明ペロブスカイト太陽電池に対して18%以上の電力変換効率をもたらした。シリコン底部セルを用いた4端子タンデム配置へのこのアプローチの応用を実証した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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