文献

J-GLOBAL ID：202002222516997856   整理番号：20A1035091

中性子放射に対するグラフェンに基づくHallセンサの抵抗【JST・京大機械翻訳】

Resistance of Hall Sensors Based on Graphene to Neutron Radiation

著者 (10件)： Bolshakova I. A. (Magnetic Sensor Laboratory, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine) ,  Kost Ya. Ya. (Magnetic Sensor Laboratory, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine) ,  Radishevskyi M. I. (Magnetic Sensor Laboratory, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine) ,  Shurygin F. M. (Magnetic Sensor Laboratory, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine) ,  Vasyliev O. V. (Magnetic Sensor Laboratory, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine) ,  Wang Z. (Advanced Microelectronic Center Aachen, AMO GmbH, Aachen, Germany) ,  Neumaier D. (Advanced Microelectronic Center Aachen, AMO GmbH, Aachen, Germany) ,  Otto M. (Advanced Microelectronic Center Aachen, AMO GmbH, Aachen, Germany) ,  Bulavin M. V. (Frank Laboratory of Neutron Physics, Joint Institute for Nuclear Research, Dubna, Russia) ,  Kulikov S. A. (Frank Laboratory of Neutron Physics, Joint Institute for Nuclear Research, Dubna, Russia)
資料名： Springer Proceedings in Physics  (Springer Proceedings in Physics)
巻： 244  ページ： 199-209  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5066A  ISSN： 0930-8989  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1.5×20nm-2のフルエンスまでの原子炉の中性子束における単層グラフェンに基づくHallセンサのその場研究を行った。磁場に対するセンサの感度は実験を通して安定であったが,抵抗変化は放射加熱による試料温度の増加と相関した。実験は,中性子照射に対するグラフェンセンサの高抵抗に関する理論的期待を確認した。これらの特性を最適化するためのセンサ技術の更なる改良と,最大許容中性子フルエンスを決定するための照射試験が必要である。Copyright Springer Nature Singapore Pte Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 原子炉 ,  最適化 ,  磁場 ,  *中性子 ,  中性子照射 ,  中性子束 ,  中性子フルエンス ,  センサ ,  照射試験 ,  フルエンス ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 放射加熱 ,  *Hallセンサ ,  単層グラフェン ,  抵抗変化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 核融合装置  (BJ02083Z) ,  磁電デバイス  (NC03100X) ,  原子炉の計測  (MD05030L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 中性子 ,  放射 ,  グラフェン ,  Hallセンサ