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J-GLOBAL ID：202002222550587047   整理番号：20A0290639

酸化インジウムすず薄膜熱電対の熱電気に及ぼす焼なましの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of annealing on the thermoelectricity of indium tin oxide thin film thermocouples

著者 (7件)： Jin Xinhang (Northwestern Polytechnical University, Xian, 710068, China) ,  Ma Binghe (Northwestern Polytechnical University, Xian, 710068, China) ,  Zhao Keli (Northwestern Polytechnical University, Xian, 710068, China) ,  Zhang Zexun (Northwestern Polytechnical University, Xian, 710068, China) ,  Deng Jinjun (Northwestern Polytechnical University, Xian, 710068, China) ,  Luo Jian (Northwestern Polytechnical University, Xian, 710068, China) ,  Yuan Weizheng (Northwestern Polytechnical University, Xian, 710068, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 46  号： 4  ページ： 4602-4609  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化インジウムスズ(ITO)薄膜熱電対(TFTCs)の熱電に及ぼすアニーリングの影響を研究した。微細構造特性化により,熱電特性,すなわち再結晶とキャリア濃度に及ぼす2つの異なるアニーリング機構の影響を示した。アニーリング温度が空気中で1100°Cに達したとき,ITO薄膜は再結晶化し,TFTCsの熱電再現性,線形性および安定性を改善した。より多くの酸素空格子点が,真空中での400°Cでのアニーリング後にITO薄膜中に生成されたが,空気中で1100°Cでのアニーリング後には減少した。Sn2+イオンはアニーリング後にITO90/10薄膜中でSn4+イオンに変換し,膜中に付加的な自由電子を与えた。これらの微細構造変態は,縮退半導体の熱電理論によって記述されるように,ITO TFTCsの熱電特性の変化に関連している。アニーリング後のSeebeck係数の減少はキャリア濃度と再結晶の増加に起因した。さらに,空気中1100°Cでのアニーリング後,ITO TFTCsのSeebeck係数は理論値と一致した。これらの結果は,異なるアニーリング過程により薄膜熱電特性を制御するために用いることができる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  *焼なまし ,  *酸化インジウムスズ ,  微細構造 ,  *熱電流 ,  再現性 ,  再結晶 ,  *熱電対 ,  *薄膜 ,  キャリア密度 ,  線形性
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  酸素空格子点 ,  アニーリング温度 ,  熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ITO ,  薄膜 ,  熱電対 ,  アニーリング ,  セebeck係数

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化インジウムすず ,  薄膜 ,  熱電対 ,  熱電気 ,  焼なまし