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J-GLOBAL ID：202002222740773771   整理番号：20A0333150

二次元半導体の圧電ポテンシャルに対する非局所連続体模型【JST・京大機械翻訳】

A nonlocal continuum model for the piezopotential of two-dimensional semiconductors

著者 (1件)： Zhang Jin (School of Science, Harbin Institute of Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 53  号： 4  ページ： 045303 (10pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)圧電半導体の固有ナノスケール寸法のために,圧電ポテンシャル特性に及ぼす小規模効果は,圧電応用において不可避である。本研究では,圧電半導体の非局所構成関係と現象論的理論に基づいて,小規模効果を2D半導体の圧電ポテンシャルの連続体モデリングに組み込んだ。新しく提案した非局所連続体モデルに線形化解析を行った後,2D半導体に対する圧電ポテンシャルの解析式を得た。これは,適切な特性非局所長さを選択することにより,密度汎関数理論(DFT)結果と良く一致することが分かった。著者らの非局所連続体モデルにおいて,小規模効果が2D半導体の圧電ポテンシャルを著しく高めることができることを示した。これは,より小さい長さまたはより大きな初期キャリア濃度をもつ2D半導体においてより攻撃的である傾向がある。さらに,DFTシミュレーションにより,2D半導体の圧電ポテンシャル特性に及ぼす小規模効果の影響は,それらの構造の有限長さに起因する末端効果に起因する非局所分極の存在に起因することを明らかにした。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 圧電半導体 ,  キャリア密度 ,  分極 ,  *圧電気 ,  密度汎関数法 ,  連続体 ,  モデリング ,  シミュレーション ,  *半導体 ,  構成方程式 ,  *二次元
準シソーラス用語： 線形化 ,  連続体モデル ,  ナノスケール ,  二次元半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二次元半導体 ,  圧電 ,  ポテンシャル ,  連続体 ,  模型