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J-GLOBAL ID：202002222787753571   整理番号：20A0982358

N_2雰囲気中のシクロヘキサン前駆体を用いた直接液体注入化学蒸着により成長させたグラフェンのキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Characterization of graphene grown by direct-liquid-injection chemical vapor deposition with cyclohexane precursor in N₂ ambient

著者 (12件)： Intaro T. (Department of Physics, Faculty of Science, Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand) ,  Hodak J. (Department of Physics, Faculty of Science, Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand) ,  Hodak J. (INQUIMAE-Departamento de Quimica Inorganica, Analitica y Quimica Fisca, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, University of Buenos Aires, Buenos Aires, Argentina) ,  Suwanyangyaun P. (Department of Physics, Faculty of Science, Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand) ,  Botta R. (National Electronics and Computer Technology Center (NECTEC), Pathumthani, Thailand) ,  Nuntawong N. (National Electronics and Computer Technology Center (NECTEC), Pathumthani, Thailand) ,  Niki M. (College of Science & Engineering, Aoyama Gakuin University, Sagamihara campus, Japan) ,  Kosuga S. (College of Science & Engineering, Aoyama Gakuin University, Sagamihara campus, Japan) ,  Watanabe T. (College of Science & Engineering, Aoyama Gakuin University, Sagamihara campus, Japan) ,  Koh S. (College of Science & Engineering, Aoyama Gakuin University, Sagamihara campus, Japan) ,  Taychatanapat T. (Department of Physics, Faculty of Science, Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand) ,  Sanorpim S. (Department of Physics, Faculty of Science, Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 104  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N_2雰囲気中でシクロヘキサン前駆体(C_6H_12)を用いた直接液体注入化学蒸着(DLI-CVD)法によりグラフェン膜を合成した。このプロセスは,水素ガスが必要でない大規模なグラフェン生産のためのより安全でより経済的なルートを提供する。グラフェン膜を,2mbarの全圧力で,890~980°C,10分間,Cu箔基板上に成長させた。シクロヘキサンの流速は0.2~0.5g/分の間で変化させた。Ramanの結果は,950°Cの成長温度と0.5g/分の流速で連続した単層グラフェン膜を示した。Hallと電界効果測定は,450~800cm~2/Vの範囲の移動度を示した。相対的に低いDピーク強度は,キャリア移動度が移動過程と素子作製の間にデバイスに導入された不純物によって制限される可能性があることを示唆している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  キャリア移動度 ,  電場効果 ,  不純物 ,  流速 ,  *化学蒸着 ,  *前駆体 ,  単一層 ,  キャラクタリゼーション ,  銅箔 ,  *グラフェン ,  シクロアルカン
準シソーラス用語： 水素ガス ,  ピーク強度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン ,  直接液体注入化学蒸着 ,  Cu箔 ,  シクロヘキサン

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (1件)： シクロヘキサン

タイトルに関連する用語 (8件)： 雰囲気 ,  シクロヘキサン ,  前駆体 ,  注入 ,  化学蒸着 ,  成長 ,  グラフェン ,  キャラクタリゼーション