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J-GLOBAL ID：202002222792516488   整理番号：20A0546760

SnO_2薄膜の構造と光電特性に及ぼすSbドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Sb doping on structural and photoelectric properties of SnO₂ thin films

著者 (6件)： Niu Yanfen (MOE Key Laboratory of Material Physics and Chemistry Under Extraordinary Conditions, School of Physical Science and Technology, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, People’s Republic of China) ,  Duan Libing (MOE Key Laboratory of Material Physics and Chemistry Under Extraordinary Conditions, School of Physical Science and Technology, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, People’s Republic of China) ,  Zhao Xiaoru (MOE Key Laboratory of Material Physics and Chemistry Under Extraordinary Conditions, School of Physical Science and Technology, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, People’s Republic of China) ,  Han Cong (MOE Key Laboratory of Material Physics and Chemistry Under Extraordinary Conditions, School of Physical Science and Technology, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, People’s Republic of China) ,  Guo Jiale (MOE Key Laboratory of Material Physics and Chemistry Under Extraordinary Conditions, School of Physical Science and Technology, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, People’s Republic of China) ,  Geng Wangchang (MOE Key Laboratory of Material Physics and Chemistry Under Extraordinary Conditions, School of Physical Science and Technology, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 31  号： 4  ページ： 3289-3302  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SbドープSnO_2(ATO)薄膜を,ガラス基板上のゾル-ゲルディップコーティング法により合成した。XPSとXRDスペクトルは,Sb原子がSnO_2格子中に成功裏に組み込まれ,空気中でアニールされ,さらに真空中でアニールされた1at.%ATO薄膜中にSb5+(~90%)の形で存在することを示した。透過率スペクトルは,平均透過率が325~700nmの波長範囲で75%以上であることを明らかにした。平均シート抵抗は,空気中でアニールした1at.%ATO薄膜において14.05kΩ/□であり,非ドープSnO_2よりはるかに少なかった。電気的性質は,ATO薄膜が空気中でのアニーリングと比較して,さらにアニーリング真空であるとき,より良かった。1at%ATO薄膜の平均シート抵抗と抵抗率は,それぞれ2.42kΩ/□と0.035Ωcmであった。PLは,V_Oの浅い準位から伝導帯(CBM)の最小準位への電子遷移がSb3+イオンの増加と共に増加することを示した。価電子帯(VBM)とCBM準位の最大レベルは,それぞれ空気アニーリング後のSb3+とSb5+のエネルギー準位によって主に影響された。表面キャリア輸送の挙動を更なる真空アニーリング後に調べた。CBM-VBMレベル位置は,主に真空アニーリング後のV_Oエネルギーレベルによって影響を受けた。それはHallキャリア濃度と電気化学インピーダンス分光法(EIS)によってさらに証明された。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 価電子バンド ,  シート抵抗 ,  キャリア密度 ,  焼なまし ,  電子遷移 ,  ゾル-ゲル法 ,  *アンチモン ,  X線回折 ,  *ドーピング ,  電気抵抗率 ,  スペクトル ,  浅い準位 ,  *薄膜 ,  伝導バンド ,  透過率

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  光電特性 ,  Sb ,  ドーピング