垂直電場下でのAB積層4-6層グラフェンにおけるミニDirac円錐の磁気輸送研究【JST・京大機械翻訳】

Horii Kota; Nakasuga Tomoaki; Hirahara Taiki; Tajima Shingo; Ebisuoka Ryoya; Watanabe Kenji; Taniguchi Takashi; Yagi Ryuta

文献

J-GLOBAL ID：202002222858517218 整理番号：20A0033755

垂直電場下でのAB積層4-6層グラフェンにおけるミニDirac円錐の磁気輸送研究【JST・京大機械翻訳】

Magnetotransport study of the mini-Dirac cone in AB-stacked four- to six-layer graphene under perpendicular electric field

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資料名：
巻： 100 号： 24 ページ： 245420 発行年： 2019年
JST資料番号： D0746A ISSN： 2469-9950 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

垂直電場の存在下でAB積層4から6層グラフェンのLandau準位を実験的に調べた。低磁場におけるLandau準位は,垂直電場により生成されたミニDirac円錐に起因する特性構造を示した。ミニDirac円錐から生じる6倍または12倍縮退Landau準位を,それらのLandauファンダイアグラムのプロットにおける半径構造としての電荷中性点近傍で観測した。4層グラフェンの構造は電荷中性点近傍で近似的な電子-正孔対称性を有していたが,5-および6-層グラフェンは非対称性を示した。分散関係とLandau準位スペクトルの数値計算により,低磁場中で実験的に観測されたLandau準位構造の形成において,三角ワーピングが本質的な役割を果たしていることを示した。高磁場において,三角ワーピングはより顕著でなくなり,Landau準位スペクトルはより簡単になり,三角ワーピングを考慮することなく計算されたものに近づいた。垂直電場におけるミニDirac円錐の出現はAB積層多層グラフェンの共通の特徴である。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電子構造 , 炭素とその化合物 , 電子輸送の一般理論

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