文献

J-GLOBAL ID：202002222863675207   整理番号：20A2062807

高効率ホルムアルデヒド検出のための欠陥ホスホレン:周期的密度汎関数計算【JST・京大機械翻訳】

Defective phosphorene for highly efficient formaldehyde detection: Periodic density functional calculations

著者 (4件)： Ghadiri Mahdi (Informetrics Research Group, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Ghadiri Mahdi (Faculty of Applied Sciences, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Ghashghaee Mohammad (Gas Conversion Department, Faculty of Petrochemicals, Iran Polymer and Petrochemical Institute, P.O. Box 14975-112, Tehran, Iran) ,  Ghambarian Mehdi (Faculty of Petrochemicals, Iran Polymer and Petrochemical Institute, P.O. Box 14975-112, Tehran, Iran)
資料名： Physics Letters. A  (Physics Letters. A)
巻： 384  号： 31  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黒色ホスホレンの剥離は,過去数年間,改良されたセンサと電子デバイスにおける多くの研究の興味を引く。本論文は,HSE06/TZVPレベルの理論で,元の(BP)および空格子点ドープ(DP)ホスホレン層上のホルムアルデヒド(CH_2O)分子のセンシングを扱った。ホルムアルデヒドの最低エネルギー配置は,欠陥センサの表面に垂直な平面形を優先した。欠陥工学は仕事関数と電子伝導率に関して改善された感度(約200%と20%高い)を提供した。一方,欠陥工学は,室温で0.22nsの回復時間でホルムアルデヒドの再生能力を保存した。したがって,DPはBPと比較してより高いCH_2O感度と再利用性を提供した。さらに,ホルムアルデヒドの選択性係数は空気中で11.6であった。これらの改良は,CH_2O分子のための可能な再利用可能なナノセンサの合理的な設計への新しい洞察を開く。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 仕事関数 ,  *ドーピング ,  センサ ,  脂肪族アルデヒド
準シソーラス用語： 高効率 ,  電子素子 ,  ナノセンサ ,  回復時間 ,  電子伝導率 ,  密度汎関数計算 ,  *フォスフォレン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 黒フォスフォレン ,  センサ ,  ホルムアルデヒド ,  DFT ,  環境

分類 (5件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  二次電池  (YB04030K)

物質索引 (1件)： ホルムアルデヒド

タイトルに関連する用語 (5件)： 高効率 ,  ホルムアルデヒド ,  欠陥 ,  ホスホレン ,  密度汎関数計算