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J-GLOBAL ID：202002222895595298   整理番号：20A0521250

D-炭素におけるElectron-フォノン散乱と平均自由行程【JST・京大機械翻訳】

Electron-phonon scattering and mean free paths in D-carbon

著者 (2件)： Bu Xiangtian (School of Physical Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, China. [e-mail]) ,  Wang Shudong
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 22  号： 7  ページ： 4010-4014  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Wannier関数内挿法と組み合わせた第一原理シミュレーションを通して,D-炭素のホットキャリア散乱率を研究した。計算した散乱速度は,光学フォノンと音響フォノンがそれぞれ価電子と伝導バンド端の周りの散乱を支配するが,モード分解散乱解析は,横光学フォノンがD-炭素のバンド端から0.2eV離れたエネルギー範囲で散乱過程を支配することを示した。正孔の緩和時間は,異なる散乱強度のためにバンド端周辺の電子の緩和時間よりも著しく長い。さらに,長寿命と価電子バンドの強い分散のために,ホットホールの平均自由行程はホットエレクトロンのそれらより劇的に大きい。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 内挿法 ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  緩和時間 ,  ホットキャリア ,  シミュレーション ,  正孔 ,  価電子 ,  *散乱 ,  Wannier関数 ,  ホットエレクトロン ,  第一原理 ,  *平均自由行程
準シソーラス用語： バンド端 ,  音響フォノン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C) ,  光化学反応  (CB08020F) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  X線スペクトル一般  (BM08101P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 炭素 ,  フォノン散乱 ,  平均自由行程