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J-GLOBAL ID：202002222919860356   整理番号：20A0634428

シリコン上の強誘電および導電性ペロブスカイトのエピタキシャル集積【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial integration of ferroelectric and conductive perovskites on silicon

著者 (10件)： Lin Edward L. (McKetta Department of Chemical Engineering, University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712) ,  Posadas Agham B. (Department of Physics, University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712) ,  Zheng Lu (Department of Physics, University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712) ,  Wu Hsin Wei (School of Engineering for Matter, Transport and Energy, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287) ,  Chen Pei-Yu (McKetta Department of Chemical Engineering, University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712) ,  Coffey Brennan M. (McKetta Department of Chemical Engineering, University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712) ,  Lai Keji (Department of Physics, University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712) ,  Demkov Alexander A. (Department of Physics, University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712) ,  Smith Davis J. (Department of Physics, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287) ,  Ekerdt John G. (McKetta Department of Chemical Engineering, University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 38  号： 2  ページ： 022403-022403-10  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BaTiO_3(BTO)とLa_xSr_1-_xTiO_3(x≦0.15)ペロブスカイトスカイトヘテロ構造をSrTiO_3(STO)バッファSi(001)上に原子層堆積(ALD)によりエピタキシャルに堆積し,強誘電体膜とシリコン間の量子金属層の形成を調べた。X線回折と走査透過型電子顕微鏡はALDにより堆積したヘテロ構造の結晶性を示した。600°C,5分間の超高真空中でのLaドープSTO膜のポスト堆積アニーリング後,X線光電子スペクトルは,膜が10nm厚BTO上に蒸着されたとき,Laドーパント活性化の欠如を示した。同じポスト堆積アニーリング条件は,La_xSr_1-_xTiO_3膜を,Si(001)上に2.8nmのSTO(001)から成るSTOバッファSi(001)表面上に蒸着したとき,Laドーパントを活性化した。温度≦350°Cで空気中でBTOとSTOバッファSi(001)層の間に挟まれたLa_xSr_1-_xTiO_3膜のアニーリングはLaドーパント活性化を保持した。圧電応答力顕微鏡は,La_xSr_1-_xTiO_3表面上に成長したBTO膜の強誘電挙動を実証した。シート抵抗と容量-電圧測定は,BTO膜とSi(001)基板の間に挟まれたLa_xSr_1-_xTiO_3膜の伝導率をさらに実証した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーピング ,  *導電性 ,  *エピタクシー ,  ランタン ,  *ケイ素 ,  X線光電子スペクトル ,  電子顕微鏡観察 ,  電圧測定 ,  超高真空 ,  焼なまし ,  ドーパント ,  結晶度 ,  X線回折 ,  シート抵抗
準シソーラス用語： 伝導率 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  導電性 ,  ペロブスカイト ,  エピタキシャル ,  集積