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J-GLOBAL ID：202002222947105637   整理番号：20A0004118

マグネシウムシリサイドを用いた環境調和型赤外フォトダイオード

An environmentally friendly Mg₂Si pn-junction photodiode

著者 (1件)： 鵜殿治彦 (茨城大 大学院理工学研究科)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 88  号： 12  ページ： 797-801  発行年： 2019年12月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： マグネシウムシリサイド(Mg₂Si)は,室温で約0.61eVの禁制帯幅をもつ間接遷移型半導体であるため,近年利用が進む短波長赤外域(SWIR,波長λ=0.9~2.5μm)の赤外センサへの応用が期待できる.本稿では,Mg₂Si赤外センサの開発に向けたMg₂Si単結晶成長,高純度基板の開発およびpn接合フォトダイオードの開発について紹介する.(著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  環境順応 ,  *フォトダイオード ,  赤外線 ,  電子遷移 ,  バンドギャップ ,  *赤外検出器 ,  結晶成長 ,  基板 ,  PN接合 ,  間接遷移 ,  単結晶成長 ,  単結晶基板 ,  *ケイ化マグネシウム ,  環境調和
準シソーラス用語： *マグネシウム・シリサイド ,  環境調和型 ,  *赤外センサ ,  高純度基板

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

引用文献 (45件)：

• 1) 三宅 常之: 日経エレクトロニクス 2016年5月号, p.58 (2016).
• 2) H. Udono, Y. Yamanaka, M. Uchikoshi, and M. Isshiki: J. Phys. Chem. Solids 74, 311 (2013).
• 3) M. Takezaki, Y. Yamanaka, M. Uchikoshi, and H. Udono: Phys. Status Solidi C 10, 1812 (2013).
• 4) K. Daitoku, M. Takezaki, S. Tanigawa, D. Tsuya, and H. Udono: JJAP Conf. Proc. 3, 011103 (2015).
• 5) T Akiyama, N. Hori, S. Tanigawa, D. Tsuya, and H. Udono: JJAP Conf. Proc. 5, 011102 (2017).

タイトルに関連する用語 (4件)： マグネシウムシリサイド ,  環境調和型 ,  赤外 ,  フォトダイオード