文献

J-GLOBAL ID：202002223292628660   整理番号：20A1501737

磁気トンネル接合における電圧誘起磁気キャパシタンス効果

Voltage-induced Magnetocapacitance Effect in Magnetic Tunnel Junctions

著者 (1件)： 海住英生 (慶應義塾大学理工学学部物理情報工学科)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 59  号： 4  ページ： 191-198(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・本稿では,磁場により電気容量Cが変化する磁気キャパシタンス(MC)効果と,磁気トンネル接合(MTJ)における電圧誘起トンネル磁気キャパシタンス効果にについて解説。
・種々のデバイス・材料におけるMC効果を紹介した上で,磁気トンネル接合(MTJ)におけるトンネル磁気キャパシタンス(TMC)効果の発見とメカニズムについて説明。
・巨大TMC効果の観測について,DF模型による予測理論のもと,MgOベースのMTJを作製しTMCの周波数特性を調べた結果,巨大TMC効果の発見から高性能化に至るまでを概説。
・最近見出した電圧誘起TMC効果の発見,およびこの効果のメカニズムを明らかにするための理論的な検討について言及。

シソーラス用語： *トンネル接合 ,  磁気抵抗効果 ,  トンネル効果 ,  磁気抵抗 ,  *電圧発生 ,  酸化マグネシウム ,  周波数特性 ,  磁場 ,  スピントロニクス ,  薄膜 ,  誘電性 ,  緩和時間 ,  *容量 ,  *磁気電気効果
準シソーラス用語： トンネル磁気キャパシタンス ,  トンネル磁気抵抗 ,  磁気トンネル接合 ,  電圧誘起トンネル磁気キャパシタンス

著者キーワード (8件)： spintronics ,  magnetocapacitance ,  magnetic tunnel junction ,  thin film ,  DF (Debye-Frohlich) model ,  dielectric property ,  relaxation time ,  voltage-induced phenomenon

分類 (2件)： 磁気的性質  (WB02020J) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

引用文献 (50件)：

• (1) T. Kimura, T. Goto, H. Shintani, K. Ishizaka, T. Arima and Y. Tokura: Nature, 426(2003), 55-58.
• (2) J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig and R. Ramesh: Science, 299(2003), 1719-1722.
• (3) Y. Kitagawa, Y. Hiraoka, T. Honda, T. Ishikura, H. Nakamura and T. Kimura: Nat. Mater., 9(2010), 797-802.
• (4) M. Tokunaga, M. Akaki, T. Ito, S. Miyahara, A. Miyake, H. Kuwahara and N. Furukawa: Nat. Commun., 6(2015), 5878.
• (5) H. Kaiju, M. Takei, T. Misawa, T. Nagahama, J. Nishii and G. Xiao: Appl. Phys. Lett., 107(2015), 132405.

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁気トンネル接合 ,  電圧誘起 ,  磁気 ,  キャパシタンス