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J-GLOBAL ID：202002223293999053   整理番号：20A0531253

反転p-i-n構造を持つSn-Geペロブスカイト太陽電池における背面接合でのバンド整列の理論解析【JST・京大機械翻訳】

Theoretical analysis of band alignment at back junction in Sn-Ge perovskite solar cells with inverted p-i-n structure

著者 (10件)： Minemoto Takashi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga, 525-8577, Japan) ,  Kawano Yu (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga, 525-8577, Japan) ,  Nishimura Takahito (Ritsumeikan Global Innovation Research Organization, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga, 525-8577, Japan) ,  Shen Qing (Facuty of Informatics and Engineering, The University of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo, 182-8585, Japan) ,  Yoshino Kenji (Department of Electrical and Electronic Engineering, Miyazaki University, 1-1 Gakuen Kibanadai, Miyazaki, 889-2192, Japan) ,  Iikubo Satoshi (Facuty of Life Science and System Engineering, Kyushu Institute of Technology, 2-4 Hibikino, Wakamatsu-ku, Kitakyushu, Fukuoka, 808-0196, Japan) ,  Hayase Shuzi (Facuty of Informatics and Engineering, The University of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo, 182-8585, Japan) ,  Hayase Shuzi (Facuty of Life Science and System Engineering, Kyushu Institute of Technology, 2-4 Hibikino, Wakamatsu-ku, Kitakyushu, Fukuoka, 808-0196, Japan) ,  Chantana Jakapan (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga, 525-8577, Japan) ,  Chantana Jakapan (Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga, 525-8577, Japan)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 206  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pbを含まないペロブスカイト太陽電池を調べ,毒性Pbを除去した。しかし,低い開回路電圧(V_OC)のために,9%以下の電力変換効率(PCE)を有するPbフリーペロブスカイト太陽電池が主に報告されている。本論文では,ペロブスカイトがFA_0.75mA_0.25Sn_0.95Ge_0.05I_3(Sn-Geペロブスカイト)である反転p-i-n平面構造を持つPbフリーペロブスカイト太陽電池の理論解析を,デバイスシミュレーションを用いて行った。V_OCはペロブスカイト吸収体(V_bi)を横切る内蔵電位により正に影響されることを明らかにした。V_biは,電子輸送層(ETL)の伝導帯最小(E_C)および/または逆接触の仕事関数(Φ_BC)によって主に支配され,高いV_OCに対するV_bi損失を避けるために,Sn-Geペロブスカイト吸収体のE_C(-3.67eV)よりも深くない(低い)。結果として,Sn-Geペロブスカイト太陽電池におけるETLとBC材料は,ペロブスカイトとETLの適切な伝導帯オフセットと,ペロブスカイトとΦ_BCのE_Cの差の両方に適切に選ばれるべきであり,改良PCEに対する素子構造を開発し,V_biとV_OCを増加させる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接合 ,  鉛 ,  素子構造 ,  伝導バンド ,  *太陽電池 ,  平面構造 ,  吸収体 ,  仕事関数 ,  電位
準シソーラス用語： 電子輸送層 ,  デバイスシミュレーション ,  電力変換効率 ,  開回路電圧 ,  *バンドアライメント ,  *ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 太陽電池 ,  Sn-Geペロブスカイト ,  デバイスシミュレーション ,  バックジャンクションバンドアラインメント ,  開回路電圧

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 反転 ,  Sn ,  Ge ,  ペロブスカイト太陽電池 ,  背面 ,  バンド整列 ,  理論解析