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J-GLOBAL ID：202002223469826889   整理番号：20A2237152

p型三元系Sn²⁺酸化物における正孔生成と酸素欠陥生成による電荷補償

Hole generation and charge compensation by structural defects in p-type ternary Sn²⁺ oxides

著者 (7件)： 三溝朱音 (東京理大) ,  三溝朱音 (産業技術総合研) ,  菊地直人 (産業技術総合研) ,  簔原誠人 (産業技術総合研) ,  阪東恭子 (産業技術総合研) ,  相浦義弘 (産業技術総合研) ,  西尾圭史 (東京理大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.12p-D419-3  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 透明太陽電池やoxide CMOSなど、創エネ・省エネに繋がる革新的なデバイスの実現に向けて実用に資する性能を持つp型酸化物半導体の開発が求められている。高い正孔移動度を有する材料としてSnO[1]が広く知られているが、SnOは伝導パス中...【本文一部表示】

シソーラス用語： 移動度 ,  固相反応 ,  *正孔 ,  太陽電池 ,  *スズ ,  *酸化物 ,  キャリア密度 ,  *不純物補償 ,  EXAFS ,  Rietveld法
準シソーラス用語： 生成機構 ,  アニーリング温度 ,  正孔移動度 ,  酸化物半導体 ,  *酸素欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化物 ,  正孔 ,  酸素欠陥 ,  電荷補償