Sboychakov A. O. について
Institute for Theoretical and Applied Electrodynamics, Russian Academy of Sciences, Moscow 125412, Russia について
Rozhkov A. V. について
Institute for Theoretical and Applied Electrodynamics, Russian Academy of Sciences, Moscow 125412, Russia について
Rozhkov A. V. について
Skolkovo Institute of Science and Technology, Skolkovo Innovation Center, Moscow 143026, Russia について
Rakhmanov A. L. について
Institute for Theoretical and Applied Electrodynamics, Russian Academy of Sciences, Moscow 125412, Russia について
Nori Franco について
Theoretical Quantum Physics Laboratory, RIKEN, Wako-shi, Saitama, 351-0198, Japan について
Nori Franco について
Department of Physics, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109-1040, USA について
Physical Review. B について
基底状態 について
最適化 について
磁化 について
相互作用 について
低温 について
電荷 について
ドーピング について
秩序パラメータ について
スピン密度波 について
ホッピング伝導 について
ねじり変形 について
縮退 について
ロバスト性 について
電子状態 について
二層グラフェン について
磁性理論 について
半導体結晶の電子構造 について
マジック について
ねじれ について
二層グラフェン について
スピン密度波 について
電子 について