文献

J-GLOBAL ID：202002223547358568   整理番号：20A2236762

転写フリーグラフェンFETの電気特性に対するNi金属触媒の結晶性の効果

Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs

著者 (6件)： 小林幹 (名古屋工大) ,  DORJDAGVA B. (名古屋工大) ,  高橋明空 (名古屋工大) ,  久保俊晴 (名古屋工大) ,  三好実人 (名古屋工大) ,  江川孝志 (名古屋工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.12a-PA2-53  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに. 我々はこれまでに金属触媒を凝集させる技術を用いることで転写フリー多層グラフェンを絶縁体上に形成できることを報告した[1,2]。また、転写フリー多層グラフェンを用いたFETを作製し、ゲート電圧によるドレイン電流の変調を確認した...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  焼なまし ,  正孔 ,  *ニッケル ,  電流電圧特性 ,  二酸化ケイ素 ,  *結晶度 ,  化学蒸着 ,  絶縁膜 ,  Raman分光法 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 薄膜形成 ,  EBSD ,  *グラフェンFET ,  多層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 転写 ,  グラフェンFET ,  電気特性 ,  Ni ,  金属触媒 ,  結晶性