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文献
J-GLOBAL ID:202002223583843626   整理番号:20A0597370

EuドープGaN中のEuイオンの価電子状態と磁性【JST・京大機械翻訳】

Valence states and the magnetism of Eu ions in Eu-doped GaN
著者 (11件):
資料名:
巻: 127  号:ページ: 083901-083901-7  発行年: 2020年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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EuドープGaNにおけるEuイオンの価電子状態とそれらの磁気特性との関係を実験とシミュレーションにより調べた。X線測定は,Euイオンの価電子状態が成長温度と共ドーパントを通して制御され,2価のEuイオンの最高濃度がSiとOの共ドーピングにより700~°Cで成長した試料中に見出されることを検証した。著者らの現象論的解析によると,磁気抵抗測定はZenerのp-f交換相互作用の存在を意味する。しかし,外部磁場に対する磁化依存性は,全ての試料において非ヒステリシスS字状曲線を示した。著者らのシミュレーションは,これがスピノーダル分解による試料中の磁性不純物のナノ構造の形成に起因することを示唆している。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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半導体のルミネセンス  ,  無機化合物のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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