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J-GLOBAL ID:202002223610621401   整理番号:20A1107954

n型シリコン太陽電池のppbレベル表面汚染の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of ppb-level surface contamination of n-type silicon solar cells
著者 (10件):
資料名:
巻: 520  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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シリコン半導体セルの汚染は,少数キャリア寿命のようなそれらの動作特性に強く影響する。製造中に,シリコンインゴットを切断するとき,シリコンへの金属汚染物質の侵入は,太陽電池の性能を低下させるので避ける必要がある。この効果を研究するために,30,100,300,および1000ppbの金属濃度の正確に定義された量を含む希薄HClベース(pH=1.3)溶液中にシリコンウエハを浸漬することによって制御された汚染を行った。2つの最も一般的で最も損傷する過渡金属,鉄と銅を試験した。表面汚染の測定は,二つの異なる方法で行った:全反射X線蛍光(TXRF)測定とレーザアブレーション誘導結合プラズマ質量分析(LA-ICP-MS)。少数キャリア寿命を光ルミネセンス(PL)測定によりチェックした。LA-ICP-MS法は,ppbレベルの表面不純物の直接定量とそれらの浸透深さの効果的な配置であることが証明された。TXRFとLA-ICP-MSによって得られた結果を比較した。LA-ICP-MSの利点は,単純な汚染レベル決定に加えて,汚染の全表面マップを得るために使用できることであった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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