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J-GLOBAL ID：202002223768760606   整理番号：20A2448718

半導体-超伝導体構造における高T_cCooper対注入【JST・京大機械翻訳】

High-T_c Cooper-pair injection in a semiconductor-superconductor structure

著者 (7件)： Bouscher Shlomi (Department of Electrical Engineering, Technion, Haifa 32000, Israel) ,  Kang Zhixin (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics and Department of Physics, Tsinghua University, Beijing, 100084, People’s Republic of China) ,  Balasubramanian Krishna (Department of Electrical Engineering, Technion, Haifa 32000, Israel) ,  Panna Dmitry (Department of Electrical Engineering, Technion, Haifa 32000, Israel) ,  Yu Pu (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics and Department of Physics, Tsinghua University, Beijing, 100084, People’s Republic of China) ,  Chen Xi (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics and Department of Physics, Tsinghua University, Beijing, 100084, People’s Republic of China) ,  Hayat Alex (Department of Electrical Engineering, Technion, Haifa 32000, Israel)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 32  号： 47  ページ： 475502 (6pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微分コンダクタンス分光法によるYBCO-GaN接合におけるAndreev反射を観測した。強い特性ゼロバイアスピークが観察され,超伝導秩序パラメータΔ≒1meVの超伝導体の臨界温度まで持続した。高T_c超伝導体の値と比較して,小さなΔのAndreev反射の存在は,高T_c/半導体接合における超伝導近接性の実証に向けた重要なマイルストーンを形成する。次に,実験結果を理論モデルと比較した。YBCOの高い転移温度と共に,直接バンドギャップ半導体構造へのCooper対の効率的な注入は,高T_c材料の新しいオプトエレクトロニクスおよび量子光学研究への道を開くことができる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *超伝導 ,  転移温度 ,  *半導体 ,  臨界温度 ,  半導体接合 ,  オプトエレクトロニクス ,  秩序パラメータ ,  窒化ガリウム ,  *Cooper対 ,  *超伝導体 ,  Andreev反射 ,  イットリウムバリウム銅酸化物
準シソーラス用語： 理論モデル ,  微分コンダクタンス ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (1件)： 注入