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J-GLOBAL ID：202002223885929258   整理番号：20A0955776

一価硫黄オキソアニオンはミリメートル長単結晶H-WO_3ナノワイヤ合成を可能にする【JST・京大機械翻訳】

Monovalent sulfur oxoanions enable millimeter-long single-crystalline h-WO₃ nanowire synthesis

著者 (13件)： Zhang Guozhu (Institute for Materials Chemistry and Engineering, Kyushu University, 6-1 Kasuga-Koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan. [e-mail]) ,  Wang Chen ,  Mizukami Wataru ,  Hosomi Takuro ,  Nagashima Kazuki ,  Yoshida Hideto ,  Nakamura Kentaro ,  Takahashi Tsunaki ,  Kanai Masaki ,  Yasui Takao ,  Aoki Yuriko ,  Baba Yoshinobu ,  Yanagida Takeshi
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 12  号： 16  ページ： 9058-9066  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,以前の研究において六方晶系(h)-WO_3ナノワイヤの長さの拡張を本質的に妨げた化学キャッピングに関する誤解を議論する。二価硫酸塩イオン(SO42-)は異方性h-WO3ナノワイヤ成長を指向するための効率的なキャッピングイオンであると信じられているが,SO42-の存在はh-WO3ナノワイヤの異方性結晶成長に非常に有害であり,SO42-だけではなく一価硫黄オキソアニオン(HSO4-)が異方性h-WO3ナノワイヤ成長を実質的に促進することを見出した。ab initio電子構造シミュレーションにより,一価硫黄オキソアニオンがSO42-と比較して低い水和エネルギーによりh-WO3ナノワイヤの側壁面(100)を優先的にキャップできることを明らかにした。このキャッピング戦略に基づいて,二価硫黄オキソアニオンを生成できない一価硫黄オキソアニオン(CH_3SO_3-)を用いて,広い範囲の前駆体濃度に対してミリメータ範囲(1.2mm)まで超長h-WO_3ナノワイヤを成功裏に作製した。柔軟な基板上での分子(肺癌バイオマーカー:ノナナール)の電気的センシングのためのこれらのミリ長h-WO_3ナノワイヤの実現可能性を実証した。これは,強化された織物効果のために10~4倍までの曲げサイクルで機械的柔軟性で室温で操作できる。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  異方性 ,  結晶成長 ,  シミュレーション ,  *単結晶 ,  電子構造 ,  水和熱 ,  柔軟性 ,  六方晶系 ,  前駆体 ,  硫酸イオン ,  腫瘍マーカー ,  *ナノワイヤ

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  静電機器  (NB10020R)

タイトルに関連する用語 (3件)： 硫黄 ,  単結晶 ,  ナノワイヤ