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J-GLOBAL ID:202002224038417528   整理番号:20A2579084

バルク中の低配位球の充填に及ぼす薄膜閉込めの影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Thin-Film Confinement on the Packing of Low-Coordinate Spheres in Bulk
著者 (2件):
資料名:
巻: 53  号: 20  ページ: 9131-9141  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0952A  ISSN: 0024-9297  CODEN: MAMOBX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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少数Aブロックに魅力的な2つの同一表面を持つ薄膜の閉込めの下で,意図的に設計したAB型マルチブロック共重合体メルトの自己集合を,自己無撞着場理論を用いて調べた。この共重合体は,延伸架橋ブロックと放出充填フラストレーションの相乗効果により,バルク,例えば,単純な立方晶(SC),立方晶ダイヤモンド(DS_C)および不規則な層状六方充填(iHP)において,低配位数(CN)の幾つかの非古典的球状相を形成することができる。バルクSC相で,薄膜中の球の充填の興味深い遷移シーケンスを,交互六角形と正方晶形態から成る膜厚の増加と共に予測した。多層六方晶および正方晶形態のほとんどは,通常整列したが,シフトしていない層から成っていた。このリエントラント遷移シーケンスは,バルク体心立方(BCC)相で観測される六方晶から斜方晶形態への単一転移と著しく対照的である。配位数(CN)は球状形態の重要な特性であるので,CNに関して異なる形態間の遷移機構を合理化した。その結果,これらの遷移は膜厚に伴うCNの変化によって支配され,一方,各球のCNは面内および面外近傍によって寄与していることが明らかになった。さらに,シフトした配列を有する多層六方晶形態は,バルク相を高CN相へ移すと形成し始め,一方,バルクDS_C相では,グラフェン状球状層から成る新しい球状形態が形成されることを見出した。本研究で予測した球の単層正方晶格子は半導体産業において有望な応用を示す。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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高分子固体の構造と形態学 
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