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J-GLOBAL ID：202002224303082299   整理番号：20A0965622

広帯域SiC n-nヘテロ構造ダイオードの数値シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Numerical Simulations of wideband SiC N-N Heterostructure Diode

著者 (3件)： Patankar Udayan S (TalTech University,Tallinn,Estonia) ,  Koel Ants (TalTech University,Tallinn,Estonia) ,  Pard Tamas (TTU,TJS Department of Electronics,Tallinn,Estonia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： LAEDC  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 均一性と不均一性は批判的に研究され,実行可能な概念の一つであり,先進的な電子デバイスの開発において重要な構成要素になっている。半導体の歴史において,コンデンサ,抵抗器,ダイオード,トランジスタ,FET-MOSFETなどの電子デバイスとして多くの材料が使用されている。半導体産業の先駆者であり,集積回路の基礎を確立し,無線検出器などの半導体応用に向けて注目を集めている。最終的に,ダイオードは顕著な応用を得て,整流器,センサ,現代ディスプレイなどの主要領域におけるその地平を広げている。電気または電子デバイスとしての半導体動作は,材料の電気的,電気機械的,熱的挙動に非常に依存しており,これらの挙動を理解し,その応用を導いた。あらゆる材料はエネルギーバンドを有し,その電気的特性と挙動を研究するのに役立つ。ヘテロ接合は,接合として作用できる共通の界面を共有する二つの異種材料を接続することを意味する。現代の技術において,ヘテロ接合は,特定の装置の品質を改善するよく知られたプロセスになった。本研究では,異なる構造を持つ炭化ケイ素ヘテロ接合ベース素子に焦点を当てた。3C,4Hおよび6Hのような炭化ケイ素ポリタイプは,より良好な電気的性質を示し,一般的にパワーエレクトロニクスデバイスに使用されている。本論文では,n型炭化ケイ素-シリコンヘテロ接合ダイオードの研究について議論する。その2D構造を実現し,異なるシミュレーションベースの研究を実行するために,SILVACO ATLAS TCADを使用した。本論文では,異なる内部構造を有する炭化ケイ素-ケイ素ヘテロ接合ダイオードのI-V挙動に焦点を合わせた。全てのシミュレーションは-10Vから+10Vの電圧範囲で行った。10mmの境界によって10mmで構築された2D構造も,素子全体にわたって均一なドーピング濃度を有していた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  界面 ,  コンデンサ ,  *シミュレーション ,  集積回路 ,  *ダイオード ,  電圧 ,  半導体 ,  ドーピング ,  二次元 ,  表示装置 ,  *広帯域 ,  パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 広帯域 ,  SiC ,  ヘテロ構造 ,  ダイオード ,  数値シミュレーション