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J-GLOBAL ID：202002224356061462   整理番号：20A2529819

単層カーボンナノチューブ電界効果トランジスタの誘電泳動作製の周波数依存性【JST・京大機械翻訳】

Frequency dependence of dielectrophoretic fabrication of single-walled carbon nanotube field-effect transistors

著者 (8件)： Sadabad Yousef Adeli (Shezan Research and Innovation Center, Tehran, Iran) ,  Khodadadian Amirreza (Institute for Analysis and Scientific Computing, Vienna University of Technology (TU Wien), Vienna, Austria) ,  Khodadadian Amirreza (Institute of Applied Mathematics, Leibniz University Hannover, Hanover, Germany) ,  Istadeh Kiarash Hosseini (Shezan Research and Innovation Center, Tehran, Iran) ,  Hedayati Marjan (Shezan Research and Innovation Center, Tehran, Iran) ,  Kalantarinejad Reza (Shezan Research and Innovation Center, Tehran, Iran) ,  Heitzinger Clemens (Institute for Analysis and Scientific Computing, Vienna University of Technology (TU Wien), Vienna, Austria) ,  Heitzinger Clemens (School of Mathematical and Statistical Sciences, Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
資料名： Journal of Computational Electronics  (Journal of Computational Electronics)
巻： 19  号： 4  ページ： 1516-1526  発行年： 2020年 
JST資料番号： A1072A  ISSN： 1569-8025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブ(SWCNT)の誘電泳動(DEP)作製のための新しい理論モデルを示した。ワイドエネルギーギャップ半導体SWCNTの整列に対する異なる周波数間隔が得られ,一般的なモデルとかなり異なることを示した。2つの特定のモデル,すなわち,球面モデルと楕円体モデル,を周波数間隔を推定するために研究した。次に,DEPプロセスを実行し,得られた周波数(球状および楕円体モデルから)を用いてSWCNTを整列させた。これらの経験的結果は,楕円モデルに基づくDEPプロセスによるカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNT-FET)の実現に向けた重要な段階を表す理論的予測を確認した。Copyright The Author(s) 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  楕円体 ,  *周波数依存性 ,  球面 ,  単一層 ,  *単層カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： 理論モデル ,  *誘電泳動 ,  CNTFET ,  周波数間隔 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 誘電泳動 ,  単層カーボンナノチューブ ,  球面モデル ,  楕円体モデル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単層カーボンナノチューブ ,  電界効果トランジスタ ,  誘電泳動 ,  作製 ,  周波数依存性