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J-GLOBAL ID：202002224386262966   整理番号：20A2196455

SnSeの相転移と面内異方性に及ぼす高圧効果【JST・京大機械翻訳】

High pressure effect on the phase transition and in-plane anisotropy of SnSe

著者 (8件)： Xie Shiyu (National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230029, PR China) ,  Cheng Xuerui (School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, Henan, 450002, PR China) ,  Hu Chuansheng (National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230029, PR China) ,  Tao Yajun (National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230029, PR China) ,  Liu Miao (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, PR China) ,  Liu Miao (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, PR China) ,  Liu Miao (Songshan Lake Materials Laboratory, Dongguan, Guangdong, 523808, PR China) ,  Qi Zeming (National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230029, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 849  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 圧力下の半導体化合物SnSeの相転移と面内異方性を光学的および電子的方法によって研究した。その結果,半導体から半金属への電子遷移が12GPa以上で観測され,PnmaがBbmm構造転移に続いた。構造転移も~8GPaで観察され,層状からバルク構造への相転移に対応した。SnSeの異方性光学特性は圧力を上げると減少し,12GPaで消失した。著者らの結果は,圧力がSnSeの構造及び電子構造遷移を誘起することを確認した。そして,圧力下のSnSeの異方性光学特性の研究は,デバイスにおける歪ベースの異方性光学,オプトエレクトロニクスおよびエレクトロニクスを開発するための実行可能な経路を提供した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  光学的性質 ,  *相転移 ,  電子構造 ,  電子遷移 ,  半導体 ,  電子技術 ,  オプトエレクトロニクス ,  半金属 ,  構造相転移
準シソーラス用語： *面内異方性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 相転移 ,  面内異方性 ,  高圧効果