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J-GLOBAL ID：202002224390969472   整理番号：20A1885485

共役ドナー-アクセプタ星状分子:PVDF膜における実質絶縁破壊強度改善の新しい概念【JST・京大機械翻訳】

Conjugated donor-acceptor star molecules: a new concept for substantial dielectric breakdown strength improvement in PVDF films

著者 (6件)： Lu Yong (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University Singapore, Research Techno Plaza, 50 Nanyang Drive, 637553, Singapore. [e-mail]) ,  Chen Hui ,  Lim Song Kiat Jacob ,  He Xuehan ,  Wang Mingfeng ,  Hu Xiao
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8  号： 32  ページ： 11185-11191  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリマーマトリックス中の界面深準位トラップの形成は,電気的絶縁PVDF膜における高誘電率の絶縁破壊強度(BDS)を増強する機会を提供する。本研究では,電子受容性コアを取り囲む3つの電子供与アームを有する星型ドナー-アクセプタ(D-A)分子(S1,S2およびS3)を,容易な溶液キャスティングプロセスを用いてPVDF-t膜に取り込んだ。作製した膜のDC電気絶縁は添加剤導入により著しく改善されることが分かった。0.1wt%の添加量のPVDF/S3膜によって,27%の顕著なBDS増強を達成した。変位-電気(D-E)場ヒステリシスループを用いた解析は,高電場下の高分子膜におけるキャリア密度の顕著な低下があることを明らかにした。D-A分子は,高エネルギーキャリアを捕獲する効果的なトラップとして機能し,より高いレベルで起こる絶縁破壊をもたらすと考えられる。著者らの知見は,D-A分子がPVDF-t誘電体の付加的候補の新しいファミリーであり,改善された電気絶縁を達成することを示した。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アクセプタ ,  界面 ,  *絶縁耐力 ,  *絶縁破壊 ,  *ドナー ,  誘電体 ,  *共役 ,  キャリア密度 ,  高分子膜 ,  アーム ,  深い準位
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  *PVDF膜 ,  高電場 ,  高分子マトリックス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 共役 ,  ドナー ,  アクセプタ ,  分子 ,  PVDF膜 ,  絶縁破壊強度 ,  概念