Compton散乱実験で調べたURu<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>の隠れた秩序相転移に関連する電子構造の変化

KOIZUMI Akihisa; MOTOYAMA Gaku; KUBO Yasunori; YAMAMURA Tomoo; SAKURAI Yoshiharu

文献

J-GLOBAL ID：202002224466627385 整理番号：20A1567961

Compton散乱実験で調べたURu₂Si₂の隠れた秩序相転移に関連する電子構造の変化

Change of Electronic Structure Associated with Hidden Order Transition in URu₂Si₂ Studied by Compton Scattering Experiment

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資料名：
巻： 30 ページ： ROMBUNNO.011170 (WEB ONLY) 発行年： 2020年03月19日
JST資料番号： U1201A ISSN： 2435-3892 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

・URu₂Si₂の隠れた秩序(HO)相転移に関連する電子構造の変化を2次元電子運動量密度(2D-EMD)の観点から調査。
・(100)面と(001)面の両方で再構成実験を行った結果,3次元における変化を提示。
・つまり14Kと20Kの間の2D-EMDの違いにより,密度の変化の度合いが顕著である運動量空間内の位置が特定。
・バンド構造の計算を考慮に入れると,Γ(Z)点周辺の2D-EMDの変化は,U 5f電子がHOフェーズで完全に巡回状態になることを反映。
・さらに,フェルミ面構造の変化を明確にしたい場合は,1つのBZに多数のBZを折りたたむLock-Crisp-West解析を2D-EMDに適用。
・次に,2D-EONDを取得。
・実際,2D-EONDの変更について,前回の(001)面での再構成実験から取得。
・(100)面の実験から2D-EONDを導出する場合,BZはΓ-Z方向に沿って薄いため,事前にさらに高い運動量分解能で方向性Comptonプロファイルを測定することが必要。

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金属結晶の電子構造 , 固相転移

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