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J-GLOBAL ID：202002224662400097   整理番号：20A2773788

高移動度薄膜および自己集合微結晶のためのヨウ化銅の制御可能な成長【JST・京大機械翻訳】

Controllable Growth of Copper Iodide for High-Mobility Thin Films and Self-Assembled Microcrystals

著者 (10件)： Yang Chang (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE), and Department of Electronics, East China Normal University, China) ,  Yang Chang (Felix-Bloch-Institut fuer Festkoerperphysik, Universitaet Leipzig, Germany) ,  Rose Eduard (Felix-Bloch-Institut fuer Festkoerperphysik, Universitaet Leipzig, Germany) ,  Yu Wenlei (Felix-Bloch-Institut fuer Festkoerperphysik, Universitaet Leipzig, Germany) ,  Yu Wenlei (School of Biomedical Engineering, Wenzhou Medical University, Zhejiang Province, China) ,  Stralka Tillmann (Felix-Bloch-Institut fuer Festkoerperphysik, Universitaet Leipzig, Germany) ,  Geng Fangjuan (Felix-Bloch-Institut fuer Festkoerperphysik, Universitaet Leipzig, Germany) ,  Geng Fangjuan (Center for Composite Materials and Structures, Harbin Institute of Technology, China) ,  Lorenz Michael (Felix-Bloch-Institut fuer Festkoerperphysik, Universitaet Leipzig, Germany) ,  Grundmann Marius (Felix-Bloch-Institut fuer Festkoerperphysik, Universitaet Leipzig, Germany)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2  号： 11  ページ： 3627-3632  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヨウ化銅(CuI)は,新しい高性能p型,ワイドバンドギャップ半導体である。しかし,CuI薄膜とナノ結晶の成長機構は,確立されたモデルに従わないので,現在不明である。本研究では,スパッタしたCuI薄膜の成長機構と速度論を研究し,主に成長温度と速度によって駆動される吸着原子/基板界面特性に依存した。修正構造ゾーンモデルを提案して,異なる速度を有するCuIの二次元層毎および三次元島成長を説明した。分離したCuIナノ結晶のWulff形状は,高温での利用可能なヨウ素イオンフラックスにより制御可能であるが,平衡近くの低い成長速度を示した。さらに,滑らかなCuI薄膜を高い基板温度と高い成長速度との組み合わせによって成功裏に製造した。高キャリア密度範囲の記録-高正孔移動度を実証し,これは以前に報告された値の2倍以上であった。著者らの知見は,形状制御CuIナノおよび微結晶の自己集合だけでなく,実用的なデバイスのためのCuI薄膜の先進材料工学および製造に向けた必須の段階を示す。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  *微結晶 ,  *薄膜 ,  ヨウ素 ,  キャリア密度 ,  二次元 ,  *薄膜成長 ,  三次元 ,  形状制御 ,  成長速度 ,  基板温度 ,  *自己集合 ,  ナノ結晶
準シソーラス用語： ワイドギャップ半導体 ,  正孔移動度 ,  *ヨウ化銅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ヨウ化銅 ,  スパッタリング ,  成長機構 ,  高移動度 ,  自己集合

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高移動度 ,  薄膜 ,  自己集合 ,  微結晶 ,  ヨウ化銅 ,  成長