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J-GLOBAL ID：202002224692363803   整理番号：20A1068697

二技術二層法によるAlO_xメモリスタにおけるDC/DC抵抗スイッチング性能の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of DC/AC resistive switching performance in AlO_x memristor by two-technique bilayer approach

著者 (6件)： Huang Xiao Di (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan 430074, China) ,  Li Yi (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan 430074, China) ,  Li Hao Yang (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan 430074, China) ,  Lu Yi Fan (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan 430074, China) ,  Xue Kan Hao (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan 430074, China) ,  Miao Xiang Shui (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan 430074, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 116  号： 17  ページ： 173504-173504-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,2技術二層アプローチを用いて,AlO_xメムリスタにおけるDC/DC抵抗スイッチング性能を向上させた。単層メムリスタ(W/AlO_xまたはAl_2O_3/Pt)と比較して,二重層メムリスタ(W/AlO_x/AlO_y/Pt)は,DCサイクル(σ/μ<0.12)で高い均一性,ACサイクル(>100)で大きなメモリ窓,高速スイッチング速度(20ns),高耐久性(10~7サイクル),高温安定性(125°Cで10~4s)を示した。これらの性能増強は,異なる欠陥濃度の二重層を用いた後の伝導領域の局在化に起因する。さらに,W/AlOx/AlOy/Ptメムリスタは,負パルスの振幅を変化させることにより,安定なIIIビット多重レベル記憶能力を示した。これらの結果は,将来のメモリと計算応用のための高性能メムリスタを開発するための効果的な戦略を提供する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  高温 ,  多重化 ,  パルス ,  単一層
準シソーラス用語： 二重層 ,  局在化 ,  *抵抗スイッチング ,  二層 ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二層法 ,  メモリスタ ,  DC ,  スイッチング性能 ,  増強