文献

J-GLOBAL ID：202002224886893721   整理番号：20A2568151

マイクロおよびナノ電気機械システムのためのTiO_2基板上に蒸着したナノスケールPt膜上に成長させた単層グラフェン【JST・京大機械翻訳】

Monolayer Graphene Grown on Nanoscale Pt Films Deposited on TiO₂ Substrates for Micro- and Nanoelectromechanical Systems

著者 (5件)： Cho Joon Hyong (Department of Mechanical Engineering, The University of Texas at Austin, Texas, United States) ,  Seo Yoonho (Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas at Austin, Texas, United States) ,  Dolocan Andrei (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Austin, Texas, United States) ,  Hall Neal A. (Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas at Austin, Texas, United States) ,  Cullinan Michael A. (Department of Mechanical Engineering, The University of Texas at Austin, Texas, United States)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 3  号： 10  ページ： 9731-9739  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,TiO_2被覆シリコンウエハ上に蒸着した厚さ100nmのPt薄膜上の高品質単層グラフェンの化学蒸着(CVD)成長について報告した。CVDを用いたPt薄膜上の従来のグラフェン成長は,ナノ/マイクロエレクトロメカニカルシステム(NEMS/MEMS)デバイスのための製作統合を制限する潜在的なディウェッティング問題のため,比較的厚い膜を必要とする。より薄い薄膜上に信頼できるグラフェン成長を達成するために,Pt薄膜と基板の間の良好な接着性を提供するために,付加的な金属中間層が一般的に導入される。しかし,厚さ100nm以下のPt膜上の高品質グラフェンの成長は,脱ぬれ問題のためにまだ実証されていない。本研究では,グラフェン成長のためのSi基板上のPtの付着層としてTiO_2を導入し,この接着層を用いて,100nmPt薄膜基板の顕著な表面ディウェッティングなしに高品質グラフェンの大面積被覆を達成できることを示した。これらの結果を飛行時間二次イオン質量分析とRaman分光法測定により確認した。著者らの結果は,Pt薄膜上のグラフェン成長が,接着層としてTiO_2を用いてより信頼性があり,作製プロセス中のNEMS/MEMSデバイス上へのグラフェンの成長の統合のための指針を提供することを示した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  付着 ,  信頼性 ,  *白金 ,  被覆 ,  化学蒸着 ,  薄膜成長 ,  Raman分光法 ,  MEMS ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 脱濡れ ,  シリコンウエハ ,  *ナノスケール ,  高品質 ,  *単層グラフェン ,  接着層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェン ,  化学蒸着(CVD) ,  白金 ,  薄膜 ,  固体脱濡れ

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電気機械 ,  蒸着 ,  ナノスケール ,  Pt ,  成長 ,  単層グラフェン