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J-GLOBAL ID:202002225189217379   整理番号:20A0281731

銅(II)-酒石酸塩錯体水溶液中のカソード/アノード分極のスイッチングによるCu_2O/CuO二重層の光照射電気化学直接構築【JST・京大機械翻訳】

Light-Irradiated Electrochemical Direct Construction of Cu2O/CuO Bilayers by Switching Cathodic/Anodic Polarization in Copper(II)-Tartrate Complex Aqueous Solution
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: 683-691  発行年: 2020年 
JST資料番号: W5044A  ISSN: 2470-1343  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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バンドギャップエネルギーが2.05eVのp-CuO,およびそれらの二分子層を,暗所および光照射下で銅-(II)硫酸塩水和物および酒石酸を含む銅-(II)-酒石酸塩錯体水溶液中で陽極および陰極分極の電位を制御することにより調製した。電着と得られたCuOおよびCu_2O層の電気化学的特性をサイクリックボルタンメトリー,クロノアンペロメトリーおよびMott-Schottkyプロットで調べ,構造的および光学的特性化をX線回折,走査電子顕微鏡および光吸収スペクトル測定により行った。0.4~0.7Vで調製したCuO層は単斜晶格子を有する粒状粒の凝集体から成り,立方格子を有する粗い結晶粒から成るCu_2O層は-0.4~0.6Vで堆積した。フラットバンド電位はCuOとCu_2O層に対してそれぞれ0.145と-0.1V(対Ag/AgCl)と推定された。0.4μmのCuO/1.1μmのCu_2Oの二分子層は,光照射の有無にかかわらず,0.4と-0.4Vの電着電位を切り替えることによって調製できた。光照射下での光電着は,電位を制御することにより,連続的で緻密な1.1μm Cu_2O/0.4μm CuO二分子層の調製を可能にした。一方,暗所での電着は,まばらで孤立した粗いCu_2O粒子を堆積した。二分子層の光電着の機構を,Cu-酒石酸塩錯体溶液へのヘテロ界面でのエネルギーバンドアラインメントに基づいて議論した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (5件):
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高分子固体の構造と形態学  ,  高分子の物性一般  ,  酸化物結晶の磁性  ,  重金属とその化合物一般  ,  不均一系触媒反応 
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