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J-GLOBAL ID:202002225291697112   整理番号:20A0536302

Gauss電荷スキームの枠組み内での溶媒和エネルギーとその誘導体に及ぼす溶質空洞の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of the Solute Cavity on the Solvation Energy and its Derivatives within the Framework of the Gaussian Charge Scheme
著者 (2件):
資料名:
巻: 41  号:ページ: 922-939  発行年: 2020年 
JST資料番号: C0111B  ISSN: 0192-8651  CODEN: JCCHDD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分極性連続体モデルにおけるGauss関数を用いた溶媒和電荷の処理は滑らかなポテンシャルエネルギー面をもたらす。これらの電荷は溶質空洞の表面上に置かれている。本論文では,(a)自己無撞着場(SCF)エネルギーとその勾配の精度と計算コスト,および(b)溶媒和の自由エネルギーの計算に対する伝導体様分極連続体モデルの枠内で,Gauss電荷スキームを用いて溶質空洞(van der Waals型または溶媒排除表面型)の効果を研究した。その目的のために,異なる溶媒中で数原子から200原子までの範囲の大きな系を考慮した。B3LYP汎関数とdef2-TZVP基底関数を用いたDFTレベルでの結果は,溶質空洞の選択が小さい系(<100原子)に対する計算の精度とコストに影響しないことを示した。より大きな系に対しては,SCFエネルギー勾配の収束に影響を及ぼす勾配(SES型空洞を用いるとき)における小さな振動を防ぐので,vdW型共振器の使用が推奨される。溶媒和の自由エネルギーに関して,溶媒依存性プローブ球を考察し,溶媒和の自由エネルギーへの非静電的寄与を計算するために必要な溶媒接近可能表面積を構築した。この部分に対して,異なる溶媒中の大きな有機分子セットに対する結果は,極性及び非極性溶媒に対して1kcal/mol以下の精度で入手可能な実験データと一致した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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溶液論一般  ,  分子・遺伝情報処理 

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