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J-GLOBAL ID:202002225511320921   整理番号:20A2453396

電子ビーム蒸着によるTeリッチBi_2Te_3薄膜:構造的,電気的,光学的および熱電特性【JST・京大機械翻訳】

Te-rich Bi2Te3 thin films by electron-beam deposition: Structural, electrical, optical and thermoelectric properties
著者 (4件):
資料名:
巻: 713  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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テルリウムリッチBi_2Te_3薄膜を300Kで電子ビーム蒸着法により堆積した。堆積したままの薄膜を100°C,200°Cおよび300°Cで1時間,圧力3×10-4Paでさらにアニールした。堆積したままの膜のX線回折(XRD)パターンはBi_2Te_3と共にTe相を明確に示す。ピーク強度比から,堆積したBi_2Te_3膜の多結晶性が示唆された。真空アニーリングでは,TeリッチBi_2Te_3膜はc軸優先配向を有する改善された結晶性を示した。さらに,TeとBi_2Te_3組成に関連した構造的特徴は,300°CでのアニーリングでTe分率が減少すると変化した。Ramanスペクトル研究から,主にBi_2Te_3の中間層内にある明確なTeリッチ領域の存在が識別された。Teは,成長したままの層としてBi_2Te_3格子の五重項内に構造的に統合される。無秩序平面構造は,主に微結晶表面に集中し,高分解能透過型電子顕微鏡格子像とエネルギー分散X線分光マッピングで証明されたように,Te蓄積から生じる。これらはXRDとRaman研究からの観測と一致し,TeリッチBi_2Te_3特性をさらに確認した。TeリッチBi_2Te_3薄膜の電気的性質はn型半導体挙動を示した。堆積したままの膜のSeebeck係数は,200°Cのアニーリングで,Δλ>97μV/Kに増大する,ε′′32μV/Kである。抵抗率は1.39×10-4Ωcmから18.76×10-4Ωcmに増加し,パワーファクタは7.4×10-4W/K2mから27.17×10-4W/K2mへ変化し,系統的アニーリングで200°Cで最大となった。200°Cで焼なましたTeリッチBi_2Te_3薄膜は,広い範囲の温度勾配(30°Cから165°CまでΔT)に対して,高い力率(~29×10-4W/K2m)を示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  半導体結晶の電気伝導 
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