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J-GLOBAL ID：202002225547001128   整理番号：20A1317875

水素化物気相エピタクシーにより作製したInGaPに及ぼす成長中断の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of growth interruption on InGaP fabricated via hydride vapor phase epitaxy

著者 (5件)： Shoji Yasushi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Oshima Ryuji (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Makita Kikuo (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Ubukata Akinori (Taiyo Nippon Sanso Corporation, Tsukuba, Ibaraki 300-2611, Japan) ,  Sugaya Takeyoshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 544  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化物気相エピタキシー(HVPE)は,高性能III-V太陽電池の製作に関連する高コストを低減するための有望な技術である。HVPEにより作製したInGaP単一接合太陽電池に及ぼす成長中断の影響を調べた。HVPE反応器は2つの成長チャンバと調製チャンバを含む。調製室は,気体流が次の成長チャンバで安定化されるまで,基板がAsH_3またはPH_3下で待つ。本研究では,InGaP/InGaP界面での調製チャンバから基板(d_pre)への距離と成長中断時間(t_GI)の影響に焦点を当てた。非最適化d_preで成長させた試料の他のチャンバからの交差汚染により粗い界面が形成された。対照的に,急激なInGaP/InGaP界面はd_preの減少により成長した試料で得られた。さらに,DMZnからH_2Sへドーパントガスを切り替えると,t_GIがデバイス性能に影響することを見出した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  最適化 ,  接合 ,  太陽電池 ,  半導体 ,  反応器 ,  気体流
準シソーラス用語： *InGaP ,  チャンバ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： A_3 水素化物気相エピタキシー ,  B2 半導体III-V材料 ,  B3 太陽電池

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素化物気相エピタクシー ,  作製 ,  InGaP ,  成長 ,  中断