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J-GLOBAL ID：202002225589126906   整理番号：20A2711566

ペロブスカイト酸化物ヘテロ構造における二次元電子系:極性誘起置換欠陥の役割【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional electron systems in perovskite oxide heterostructures: Role of the polarity-induced substitutional defects

著者 (29件)： Lin Shih-Chieh (Department of Physics, University of California Davis, Davis, California 95616, USA) ,  Lin Shih-Chieh (Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Kuo Cheng-Tai (Department of Physics, University of California Davis, Davis, California 95616, USA) ,  Kuo Cheng-Tai (Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Kuo Cheng-Tai (Stanford Synchrotron Radiation Lightsource, SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, California 94025, USA) ,  Shao Yu-Cheng (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Chuang Yi-De (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Geessinck Jaap (Faculty of Science and Technology and MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Enschede 7500 AE, The Netherlands) ,  Huijben Mark (Faculty of Science and Technology and MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Enschede 7500 AE, The Netherlands) ,  Rueff Jean-Pascal (Synchrotron SOLEIL, L’Orme des Merisiers, Saint-Aubin-BP48, 91192 Gif-sur-Yvette, France) ,  Rueff Jean-Pascal (Sorbonne Universite, CNRS,Laboratoire de Chimie Physique-Matiere et Rayonnement, 75005 Paris, France) ,  Graff Ismael L. (Department of Physics, Federal University of Parana, Curitiba, Brazil) ,  Conti Giuseppina (Department of Physics, University of California Davis, Davis, California 95616, USA) ,  Conti Giuseppina (Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Peng Yingying (CNR-SPIN and Dipartimento di Fisica Politecnico di Milano, Piazza Leonardo da Vinci 32, Milano I-20133, Italy) ,  Bostwick Aaron (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Rotenberg Eli (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Gullikson Eric (Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Nemsak Slavomir (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Vailionis Arturas (Stanford Nano Shared Facilities, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Vailionis Arturas (Department of Physics, Kaunas University of Technology, Studentu Street 50, LT-51368 Kaunas, Lithuania) ,  Gauquelin Nicolas (Faculty of Science and Technology and MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Enschede 7500 AE, The Netherlands) ,  Gauquelin Nicolas (Electron Microscopy for Materials Science (EMAT), University of Antwerp, Groenenborgerlaan 171, B-2020 Antwerp, Belgium) ,  Verbeeck Johan (Electron Microscopy for Materials Science (EMAT), University of Antwerp, Groenenborgerlaan 171, B-2020 Antwerp, Belgium) ,  Ghiringhelli Giacomo (CNR-SPIN and Dipartimento di Fisica Politecnico di Milano, Piazza Leonardo da Vinci 32, Milano I-20133, Italy) ,  Schneider Claus M. (Department of Physics, University of California Davis, Davis, California 95616, USA) ,  Schneider Claus M. (Peter-Gruenberg-Institut PGI-6, Forschungszentrum Juuelich, Juuelich 52425, Germany) ,  Fadley Charles S. (Department of Physics, University of California Davis, Davis, California 95616, USA) ,  Fadley Charles S. (Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 4  号： 11  ページ： 115002  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [数式:原文を参照]や[数式:原文を参照]のようなペロブスカイト酸化物の界面における二次元電子系(2DES)の発見が,この種の酸化物ヘテロ構造を有する界面機能性の工学において大きな努力を動機づけた。しかし,2DESの基本的起源は,例えば,共存する界面伝導率と磁性の微視的機構,例えば,理解されていない。ここでは,定在波励起光電子放出および共鳴非弾性散乱のような深さおよび要素特異的技術を用いて,2DES関連[数式:原文を参照]界面キャリアの深さプロファイルに関する包括的分光学的研究を報告した。2DESを生じるTi[数式:原文を参照]界面キャリアの1タイプが[数式:原文を参照]層中のn型界面から3つの単位格子内に位置することを見出した。意外なことに,極性誘起Ti-on-Alアンチサイト欠陥である別のタイプの界面キャリアは,対向する[数式:原文を参照]層(~10Å)の最初の3単位格子に存在する。著者らの知見は,局在化および移動Ti[数式:原文を参照]界面キャリアが界面にわたって分布する方法の顕微鏡的像を提供し,[数式:原文を参照]界面での2DESおよび2D磁性が,異なるタイプの界面キャリアに由来すると,異なる説明を有することを示唆する。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電子放出 ,  界面 ,  共鳴 ,  非弾性散乱 ,  励起 ,  チタン ,  *酸化物 ,  定在波 ,  *二次元 ,  磁性 ,  深さプロフィル
準シソーラス用語： *二次元電子系 ,  アンチサイト欠陥 ,  単位格子 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (9件)： ペロブスカイト ,  酸化物 ,  ヘテロ構造 ,  二次元電子系 ,  極性 ,  誘起 ,  置換 ,  欠陥 ,  役割