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J-GLOBAL ID：202002225624274045   整理番号：20A0058072

誘電遮蔽による単分子層MoSe_2における励起子輸送の制御【JST・京大機械翻訳】

Controlling exciton transport in monolayer MoSe₂ by dielectric screening

著者 (5件)： Hao Shengcai (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China. [e-mail]) ,  Bellus Matthew Z. ,  He Dawei ,  Wang Yongsheng ,  Zhao Hui
資料名： Nanoscale Horizons  (Nanoscale Horizons)
巻： 5  号： 1  ページ： 139-143  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2469A  ISSN： 2055-6764  CODEN： NHAOAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘電遮蔽の減少による原子の薄さのために,二次元材料は室温で安定な励起子集団を持つことができる。これは,励起子がエネルギーまたは情報を運ぶために使用される将来の励起子デバイスにとって魅力的である。励起子デバイスでは,電荷中性励起子の輸送を制御することが重要な要素である。ここでは,MoSe_2単分子層半導体における励起子輸送が誘電遮蔽により効果的に制御できることを示した。MoSe_2単分子層は六方晶窒化ホウ素フレークで部分的に覆われていた。光ルミネセンス測定は,被覆領域における励起子エネルギーが非被覆領域におけるそれより約12meV高いことを示した。二つの領域間の接合で行った空間時間分解微分反射測定は,このエネルギーオフセットが約200nmの距離にわたって約50psの接合を横切る励起子を駆動するのに十分であることを明らかにした。これらの結果は,励起子輸送を制御するためにvan der Waals誘電工学を用いることの実現可能性を示し,二次元半導体の電子的および光学的性質に及ぼす誘電環境の影響を理解するのに寄与する。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 被覆 ,  *励起子 ,  フレーク ,  微分 ,  半導体 ,  *単分子層 ,  光学的性質 ,  電荷
準シソーラス用語： 二次元半導体 ,  ルミネセンス測定 ,  六方晶窒化ホウ素 ,  二次元材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 医用素材  (GA05040H) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 誘電遮蔽 ,  単分子層 ,  励起子輸送