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J-GLOBAL ID：202002225642960377   整理番号：20A1408251

超低誘電率非晶質窒化ホウ素

Ultralow-dielectric-constant amorphous boron nitride

著者 (30件)： HONG Seokmo (Dep. of Chemistry, Ulsan National Inst. of Sci. and Technol. (UNIST), Ulsan, KOR) ,  KIM Gwangwoo (Dep. of Chemistry, Ulsan National Inst. of Sci. and Technol. (UNIST), Ulsan, KOR) ,  SHIN Tae Joo (Dep. of Chemistry, Ulsan National Inst. of Sci. and Technol. (UNIST), Ulsan, KOR) ,  SHIN Hyeon Suk (Dep. of Chemistry, Ulsan National Inst. of Sci. and Technol. (UNIST), Ulsan, KOR) ,  LEE Chang-Seok (Inorganic Material Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Suwon, KOR) ,  LEE Min-Hyun (Inorganic Material Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Suwon, KOR) ,  KIM Sang Won (Inorganic Material Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Suwon, KOR) ,  SHIN Hyeon-Jin (Inorganic Material Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Suwon, KOR) ,  LEE Yeongdong (School of Materials Sci. and Engineering, Ulsan National Inst. of Sci. and Technol. (UNIST), Ulsan, KOR) ,  JEON Hansol (School of Materials Sci. and Engineering, Ulsan National Inst. of Sci. and Technol. (UNIST), Ulsan, KOR) ,  KIM Ju-Young (School of Materials Sci. and Engineering, Ulsan National Inst. of Sci. and Technol. (UNIST), Ulsan, KOR) ,  LEE Zonghoon (School of Materials Sci. and Engineering, Ulsan National Inst. of Sci. and Technol. (UNIST), Ulsan, KOR) ,  LEE Yeongdong (Center for Multidimensional Carbon Materials, Inst. for Basic Sci. (IBS), Ulsan, KOR) ,  MA Kyung Yeol (Center for Multidimensional Carbon Materials, Inst. for Basic Sci. (IBS), Ulsan, KOR) ,  YOON Seong In (Center for Multidimensional Carbon Materials, Inst. for Basic Sci. (IBS), Ulsan, KOR) ,  LEE Zonghoon (Center for Multidimensional Carbon Materials, Inst. for Basic Sci. (IBS), Ulsan, KOR) ,  SHIN Hyeon Suk (Center for Multidimensional Carbon Materials, Inst. for Basic Sci. (IBS), Ulsan, KOR) ,  MA Kyung Yeol (Dep. of Energy Engineering, Ulsan National Inst. of Sci. and Technol. (UNIST), Ulsan, KOR) ,  YOON Seong In (Dep. of Energy Engineering, Ulsan National Inst. of Sci. and Technol. (UNIST), Ulsan, KOR) ,  SHIN Hyeon Suk (Dep. of Energy Engineering, Ulsan National Inst. of Sci. and Technol. (UNIST), Ulsan, KOR) ,  IHM Kyuwook (Pohang Accelerator Lab., Gyeongbuk, KOR) ,  KIM Ki-Jeong (Pohang Accelerator Lab., Gyeongbuk, KOR) ,  SHIN Tae Joo (UNIST Central Res. Facilities, Ulsan, KOR) ,  JEON Eun-chae (School of Materials Sci. and Engineering, Univ. Ulsan, Ulsan, KOR) ,  LEE Hyung-Ik (Analytical Engineering Group, Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Suwon, KOR) ,  ANTIDORMI Aleandro (Catalan Inst. of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and BIST, Barcelona, ESP) ,  ROCHE Stephan (Catalan Inst. of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and BIST, Barcelona, ESP) ,  ROCHE Stephan (Institucio Catalana de Recerca i Estudis Avancats (ICREA), Barcelona, ESP) ,  CHHOWALLA Manish (Dep. of Materials Sci. & Metallurgy, Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  SHIN Hyeon Suk (Low-Dimensional Carbon Materials Center, Ulsan National Inst. of Sci. and Technol. (UNIST), Ulsan, KOR)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 582  号： 7813  ページ： 511-514  発行年： 2020年06月25日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RC(抵抗容量)遅延の増大による処理速度の低下が,電子機器の小型化の大きな障害となっている。デバイスの小型化には,インターコネクト(チップ上のさまざまな電子部品を接続する金属配線)の寸法の最小化が不可欠である。インターコネクトは,非導電性(誘電体)層によって互いに絶縁されている。CMOS(相補型金属酸化膜半導体)に相性の良い低温蒸着法を用いて誘電体を集積することは技術的に困難であるため,これまでの研究では,小型化したインターコネクトの抵抗を下げることに主に重点が置かれてきた。インターコネクトの絶縁材料は,比誘電率(κ値)が低く,金属の半導体への移動に対して拡散バリアとして機能し,熱的,化学的,機械的に安定でなければならない。具体的には,IRDS(国際デバイスおよびシステムロードマップ)において,2028年までにκ値が2未満の誘電体を開発することが推奨されている。既存の低κ材料(酸化ケイ素誘導体,有機化合物,エアロゲルなど)は,κ値が2より大きく,熱機械的特性が不十分である。今回我々は,κ値が,動作周波数100kHzで1.78,1MHzで1.16(空気の値κ=1に近い)の,厚さ3nmの非晶質窒化ホウ素膜について報告する。この薄膜は機械的かつ電気的に堅牢で,絶縁破壊強さが7.3MV cm^-1と,要求される値を上回る。断面像からは,非晶質窒化ホウ素が非常に過酷な条件下でコバルト原子のケイ素中への拡散を阻止していることが明らかになった。これは他のバリアを用いた場合とは対照的である。今回の結果は,非晶質窒化ホウ素が高性能な電子機器向けに優れた低κ誘電特性を持つことを実証している。Copyright Nature Japan KK 2020

シソーラス用語： 絶縁破壊 ,  低温 ,  薄膜 ,  半導体 ,  誘電体 ,  *誘電率 ,  ケイ素 ,  コバルト ,  誘電性 ,  小型化 ,  *非晶質 ,  *窒化ホウ素 ,  薄膜成長 ,  蒸着 ,  ロバスト性
準シソーラス用語： 相互配線 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 低誘電率 ,  非晶質 ,  窒化ホウ素