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J-GLOBAL ID：202002225649940573   整理番号：20A0378178

埋め込み原子によるC_3N_4およびC_4N_3窒化炭素ナノシートの電子的および磁気的性質の制御【JST・京大機械翻訳】

Control of C₃N₄ and C₄N₃ carbon nitride nanosheets’ electronic and magnetic properties through embedded atoms

著者 (4件)： Bafekry Asadollah (Department of Physics, University of Guilan, 41335-1914, Rasht, Iran. [e-mail]) ,  Stampfl Catherine ,  Akgenc Berna ,  Ghergherehchi Mitra
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 22  号： 4  ページ： 2249-2261  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,C_3N_4およびC_4N_3ナノシートの電子的および磁気的性質の調整に及ぼす種々の埋め込み原子不純物の影響を,第一原理計算を用いて研究した。著者らの計算は,C_3N_4が半導体であり,それが希薄磁性半導体(H,F,Cl,Be,V,FeおよびCoを有する)のような異常な電子特性を示すことを示した。金属(N,P,MgおよびCa),半金属(Li,Na,K,Al,Sc,Cr,MnおよびCu)および半導体(O,S,B,C,Si,Ti,NiおよびZn)を埋め込まれた原子の種に依存して0.3~2.0eVの範囲のバンドギャップを持つ。計算した電子特性は,C_4N_3が半金属であり,埋め込まれたH,O,S,F,B,N,P,Be,Mg,Al,Sc,V,Fe,NiおよびZn原子を有する半金属特性を保持することを明らかにした。Cl,C,CrおよびMn原子の置換は,C_4N_3ナノシートにおける強磁性-金属特性を作り,埋め込まれたCoおよびCu原子は,希薄磁性半導体特性を示し,そして,埋め込まれたTi原子は,半導体になった。したがって,著者らの結果は,バンドギャップと磁性が様々な原子不純物によって修飾されるか,または誘導されるという事実を明らかにし,したがって,C_3N_4とC_4N_3ナノシートの電子的および磁気的性質を調整する有効な可能性を提供する。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  *ナノシート ,  不純物 ,  磁性 ,  半金属 ,  バンドギャップ ,  チタン ,  銅 ,  強磁性 ,  亜鉛 ,  *磁気的性質 ,  マンガン ,  金属性
準シソーラス用語： 希薄磁性半導体 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 埋め込み ,  原子 ,  窒化炭素 ,  ナノシート ,  電子 ,  磁気的性質