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J-GLOBAL ID：202002225711893309   整理番号：20A2718720

低しきい値電流の狭線幅表面発光分布帰還半導体レーザ【JST・京大機械翻訳】

Narrow-linewidth surface-emitting distributed feedback semiconductor lasers with low threshold current

著者 (7件)： Hai Yina (State Key Laboratory of High-Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China) ,  Zou Yonggang (State Key Laboratory of High-Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China) ,  Ma Xiaohui (State Key Laboratory of High-Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China) ,  Fan Jie (State Key Laboratory of High-Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China) ,  Wang Haizhu (State Key Laboratory of High-Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China) ,  Zhu Ling (State Key Laboratory of High-Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China) ,  Shi Linlin (State Key Laboratory of High-Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China)
資料名： Optics & Laser Technology  (Optics & Laser Technology)
巻： 135  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： D0245B  ISSN： 0030-3992  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面発光分散フィードバック(SE-DFB)半導体レーザは,その狭い線幅と高出力のため,研究ホットスポットの1つになった。ここでは,SE-DFB半導体レーザをフィードバックとアウトカップリングのための二次Bragg格子に基づいて提案した。格子は閉込め層上に製作され,基板からのレーザ発光を実現し,二次エピタキシャル成長を避けることができる。非対称導波路構造をデバイスに導入し,閾値電流を低減しながら光子と格子相互作用の確率を増加させた。結果は,電流が3Aであるとき,基板からの出力レーザパワーが1.22Wを達成することを示した。一方,閾値電流,電圧およびスロープ効率は,それぞれ300mA,1.73Vおよび0.45W/Aであった。中心波長は980.1nmであり,線幅は0.84nmであった。本研究は,低閾値電流狭線幅SE-DFB半導体レーザに対して重要な意味を持つ。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  光子 ,  相互作用 ,  電圧 ,  *電流 ,  *発光 ,  *半導体レーザ ,  非対称性 ,  光分散 ,  ホットスポット ,  レーザ出力 ,  導波路
準シソーラス用語： *閾値電流 ,  スロープ効率 ,  *線幅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 低しきい値電流 ,  狭い線幅 ,  二次格子 ,  非対称導波路構造 ,  SE-DFB半導体レーザ

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： しきい値電流 ,  線幅 ,  分布 ,  帰還 ,  半導体レーザ