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J-GLOBAL ID：202002225780180502   整理番号：20A1105377

溶液処理酸化銅p型チャネル薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Solution-Processed Cupric Oxide P-type Channel Thin-Film Transistors

著者 (7件)： Trinh Bui Nguyen Quoc (Vietnam National University, Hanoi, VNU Vietnam Japan University, Nanotechnology Program, Luu Huu Phuoc, Nam Tu Liem, Hanoi, Vietnam) ,  Trinh Bui Nguyen Quoc (Vietnam National University, Hanoi, VNU University of Engineering and Technology, Key Laboratory for Micro-Nano Technology, 144 Xuan Thuy, Cau Giay, Hanoi, Vietnam) ,  Van Dung Nguyen (Vietnam National University, Hanoi, VNU Vietnam Japan University, Nanotechnology Program, Luu Huu Phuoc, Nam Tu Liem, Hanoi, Vietnam) ,  Hoa Nguyen Quang (Vietnam National University, Hanoi, VNU University of Science, Faculty of Physics, 334 Nguyen Trai, Thanh Xuan, Hanoi, Vietnam) ,  Duc Nguyen Huu (Vietnam National University, Hanoi, VNU University of Engineering and Technology, Key Laboratory for Micro-Nano Technology, 144 Xuan Thuy, Cau Giay, Hanoi, Vietnam) ,  Minh Do Hong (Le Quy Don Technical University, Faculty of Physical and Chemical Engineering, Building S1, 236 Hoang Quoc Viet, Cau Giay, Hanoi, Vietnam) ,  Fujiwara Akihiko (Kwansei Gakuin University, School of Science and Technology, Department of Nanotechnology for Sustainable Energy, 2-1 Gakuen, Sanda, Hyogo 669-1337, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 704  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の溶液濃度を有する酸化銅(CuO)の薄膜を,非毒性要件を有するp型半導体に対して示唆されるように,溶液処理によりガラス基板上に堆積させた。0.15Mから0.30Mの範囲の溶液濃度の影響を調べた。CuO薄膜は単相で,単斜晶結晶構造を有する多結晶であり,(110),(-111),(111)および(-202)のような面に沿って配向していることを観察した。走査電子顕微鏡の顕微鏡写真は,CuO薄膜の粒径が溶液濃度の増加と共に増加することを検証するために観察された。さらに,CuO薄膜は,0.30Mの溶液濃度に対応して,0.0359Ωcmの最小抵抗率を示した。最終的に,溶液処理CuOチャネルを用いた薄膜トランジスタは,約10~2~10~3のオン/オフ電流比,約10~4cm~2V~1s-1の飽和電界効果移動度を示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  走査電子顕微鏡 ,  電気抵抗率 ,  電子顕微鏡観察 ,  電流 ,  *薄膜 ,  半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  *酸化銅 ,  顕微鏡写真 ,  多結晶 ,  単斜晶系 ,  単相 ,  酸化第二銅
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸化銅 ,  p型 ,  酸化物半導体 ,  溶液プロセス ,  薄膜トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 溶液処理 ,  酸化銅 ,  チャネル ,  薄膜トランジスタ