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J-GLOBAL ID：202002225810351126   整理番号：20A1942700

プレチャージに基づく高電圧シャントコンデンサの突入電流抑制【JST・京大機械翻訳】

Inrush Current Suppression of High Voltage Shunt Capacitors Based on Precharge

著者 (3件)： Chen Xingtong (North China Electric Power University, Beijing, China) ,  Deng Zhanfeng (State Key Laboratory of Advanced, Power Transmission Technology, Global Energy Interconnection Research Institude Co. Ltd, Beijing, China) ,  Hao Jianhong (North China Electric Power University, Beijing, China)
資料名： ACM Proceedings  (ACM Proceedings)
号： EEET ’18  ページ： 1-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0698C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧分路コンデンサに遮断器スイッチを切り替えると,重い突入電流が発生し,電力系統といくつかの電気デバイスを害する。本論文では,キャパシタスイッチングに起因する突入電流を抑制するための予充電戦略を提案した。プリチャージ戦略を用いて,回路遮断器を同期して3相回路を同期させる前に,単相コンデンサをターゲット値に充電する。プリチャージの目標値を理論的誘導によって得て,プレチャージ装置のトポロジーを目標値に基づいて提案した。本論文では,提案した予充電戦略を検証するためにPSCADシミュレーションモデルを構築し,真空遮断器の閉鎖時間散乱も考慮した。シミュレーション結果は,突入電流が1.6p.u.の下で制限され,三相の閉鎖電流ピークが,元の電流ピークの0.33倍,0.6倍,および0.5倍に減少し,そして,閉鎖過渡の継続時間は,鋭く短くなることを示した。それによって,提案した予充電戦略は,高電圧シャントキャパシタの突入電流を効果的に抑制することができた。Please refer to this article’s citation page on the publisher website for specific rights information. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  *コンデンサ ,  散乱 ,  シミュレーション ,  スイッチング ,  *電流 ,  シミュレーションモデル ,  遮断器 ,  真空遮断器 ,  電力系統 ,  *突入電流 ,  *充電 ,  単相
準シソーラス用語： PSCAD ,  プリチャージ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 高電圧シャントキャパシタスイッチング ,  突入電流抑制 ,  PSCADシミュレーション ,  プレチャージ戦略 ,  レストリケ

分類 (1件)： 開閉装置  (NB09030I)

タイトルに関連する用語 (5件)： チャージ ,  高電圧 ,  シャント ,  コンデンサ ,  突入電流