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J-GLOBAL ID：202002225950495243   整理番号：20A0489050

高温水素/酸素雰囲気におけるCuNi薄膜上のグラフェン成長の安定性【JST・京大機械翻訳】

Stability of Graphene Growth on CuNi Thin Films in a High-Temperature Hydrogen/Oxygen Atmosphere

著者 (15件)： Liang Yijian (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Science, People’s Republic of China) ,  Liang Yijian (University of Chinese Academy of Science, People’s Republic of China) ,  Zhang Yanhui (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Science, People’s Republic of China) ,  Chen Zhiying (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Science, People’s Republic of China) ,  Hu Shike (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Science, People’s Republic of China) ,  Hu Shike (University of Chinese Academy of Science, People’s Republic of China) ,  Kang He (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Science, People’s Republic of China) ,  Kang He (University of Chinese Academy of Science, People’s Republic of China) ,  Li Jing (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Science, People’s Republic of China) ,  Li Jing (University of Chinese Academy of Science, People’s Republic of China) ,  Sui Yanping (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Science, People’s Republic of China) ,  Yu Guanghui (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Science, People’s Republic of China) ,  Peng Songang (Microwave Devices and Integrated Circuits Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, People’s Republic of China) ,  Jin Zhi (Microwave Devices and Integrated Circuits Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, People’s Republic of China) ,  Liu Xinyu (Microwave Devices and Integrated Circuits Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, People’s Republic of China)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 20  号： 2  ページ： 1211-1217  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属薄膜,特にCuまたはCuNi薄膜上のグラフェンの成長は,大きな単結晶グラフェンを得るための効率的な方法になった。ほとんどの研究はグラフェンのエピタキシャル成長に焦点を合わせているが,グラフェン安定性に及ぼすしわや点欠陥などの欠陥の影響はほとんど調べられていない。本研究では,CuNi薄膜上のグラフェン成長の安定性を研究するために,しわと点欠陥の分布に焦点を当てた。CuNi薄膜上に成長させたグラフェンは,それが冷却されているか否かにかかわらず,中心エッチング孔やしわ縞以外の同じ周辺エッチング現象を示すことが分かった。RamanおよびTEM研究は,グラフェンが高品質であることを示した。CuNi薄膜上に成長させたグラフェンは,しわと点欠陥をほとんど持たないと信じる。このように,結果は,CuNi薄膜上に成長したグラフェンが,高温水素と空気環境中でCu箔上に成長したグラフェンよりも安定であることを示した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 点欠陥 ,  銅箔 ,  *グラフェン ,  *薄膜 ,  *水素 ,  金属薄膜 ,  エッチング ,  *高温 ,  単結晶 ,  *銅 ,  *薄膜成長
準シソーラス用語： 高品質 ,  *酸素雰囲気 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素 ,  酸素雰囲気 ,  薄膜 ,  グラフェン ,  成長 ,  安定性